1 概述

          与传统的块状磁性材料相比，磁膜有许多新奇异常的性能。随着电子整机及其元器件的多功能、轻量小型化、模块化，磁膜的作用与地位尤显突出。磁性单层膜、多层膜和纳米磁性材料，已成为当前磁学基础、应用研究和新材料开发的中心课题。

对磁性薄膜基本特性的探索始于20世纪初。其后，以高密度小型化磁存储器为目标，掀起了金属薄膜基础、制备工艺及其应用开发的热潮。到1970年代初，采用液相外延（LPE）工艺生长磁性石榴石单晶薄膜成功，推进了磁泡存储器的实用化；用溅射工艺沉积非晶过渡金属稀土（RE-TM）化合物，找到了磁光存储的实用材料。接着，用真空蒸镀、溅射和电镀的连续金属薄膜磁介质、磁头和磁传感器材料应用产品相继上市，迎来了磁性薄膜的全面实用化阶段。随着磁膜生长工艺的成熟，微观磁性表征手段和纳米制造技术的进步，正推动着微型器件、平面感性器件、磁电子器件、磁性MEMS及整体集成、封装技术的大发展。

2 实用磁膜产品简介

2.1连续薄膜磁记录介质——磁带和磁盘

   1979年，日本松下电器公司率先向市场推出Co系金属薄膜微型盒式高保真录音磁带［1］，接着又推出了金属薄膜高密度高速录相带。此乃系采用高真空斜方蒸镀法，沉积在聚酯（PET）薄膜带基上的金属膜产品。1983年，溅射沉积的Co系金属薄膜磁盘间性。1990年，IBM公司用溅射工艺制得5层CoPrCr合金磁膜（层厚12~40nm）用作硬盘，使HDD面记录密度提高到1×109bit/inch2，次年，日立公司宣布这种HDD达到了2×109bit/ubch2。