2.4 微型磁敏元件及传感器

2.4.1 AMR元件及磁传感器

   利用蒸镀Co-Ni、Ni-Fe、系金属薄膜各向异性格磁电阻（AMR）效应的MR元件，于1975年在日本索尼公司开发成功，实际用作读出磁头（见2-2-2）、无触点磁敏开关、磁尺、位移传感器，旋转编码器、电流传感器等多种产品［7］，在家用电器、办公自动化设备、工业控制、汽车和交通管制等领域获得广泛的应用；在美国，还将其大量用于军事和宇航系统。

2.4.2 SV-GMR磁敏元件及传感器阵列。

   1995年，美国NVE公司开始制造和销售SV-GMR电桥元件，1997年推出制作在半导体芯片上的数字式GMR传感器；IBM公司的HDD GMR读出磁头商品化；紧接着霍尼韦原、Microswith等公司先后也开始成功GMR电流、位移、位置、旋转角度等传感器产品，用作液压汽缸活塞位置测控、电机检测、轴承编码、交通管制、飞机导航、导弹制导、动能训练飞弹试验等各个领域。由于这种GMR元件灵敏度高，可采用MEMS技术批量生产，故容易制成智能型传感器阵列［8］。现正在应用这种元件开发生物传感器阵，用于DNA检测和环境监测。

2.4.3 GMI和SI磁敏元件及传感器［9］