3.3 低温制作铁氧体膜

    MMIC需用低温制作的铁氧体膜，以使与半导体工艺兼用。采用旋转喷镀法，在90℃以下制得的NiZn铁氧体薄膜，已成功地用作GHz频段的电磁噪声抑制器。但用作微波器件，需制出低损耗的磁膜。除了旋转喷镀工艺外，据称，用PLD法可以制作各种氧化物膜，包括磁性石榴石、尖晶石和元角晶系铁氧体，沉积速率可达5μm/h以上，而且性能良好。

3.4 巨磁致伸缩薄膜［14］

以RE-TM合金为基础材料，包括Tb-Fe、Tb-Dy-Fe、Tb-Co、Sm-Fe-B单层膜和TbFe/Fe、TbFe/FeCo、TbFe/FeCoBSi等多层膜，现用溅射、闪蒸、PLD工艺，可制出λs=700×10-6的实用膜，所需饱和磁场Hs=100kA/m。

3.5 稀释磁性半导体（DMS）膜［15］

DMS是制作磁电子器件理想的新材料。目前，研究最多的是Ⅲ-V族化合物，包括（Ga,Mn）As、(Im,Mn)As、(Ga,Mn)P、(Ga,Mn)N等。还有掺Co的SnO、和TiO2。这些薄膜可用MBE、PLD等工艺制得。