2.3 非晶、纳米晶金属薄膜的应用

2.3.1溅射非晶RF-TM合金薄膜可擦磁光盘［6］

1988年，采用溅射沉积RF-TM合金（TbFeCo单层或ToFeCo/GdFeCo/GdTeFeCo多层）膜的可擦重写型磁光盘存储器及驱动器在日本索尼等多家公司相继问世。之后，纷纷向市场推出不同规格的单面、双面记录磁光盘驱动器产品，使长期梦寐以求的高密度磁光记录技术变成了新的信息存储产业，用于广播电视、计算机工作站、宇航记录系统和海量文档贮存等领域。

2.3.2 非晶薄膜磁头

零磁致伸缩Co基（如CoFe-SiB等）非晶合金具有高层（0.85~1.1T）、低Hc（0.48A/m）和高μi（60000,50Hz）等特点，而且耐磨性好，故用作磁头材料，优于传统结晶金属和铁氧体材料。1980年，TDK公司用快淬这种合金薄带作音频磁头，首次实现商品化；接着推出VTR录音头、磁卡读出头等非晶产品。不久，使用溅射沉积CoNbZr、CoTaHf、Fe-Zr系非晶合金薄膜的窄缝隙MIG磁头，先后被用作8mm录相机、R-DAT、2英寸录相金属软盘和HDD等设备中。

2.3.3纳米晶薄膜磁头

将溅射铁基（Fe-M-C,N）非晶合金薄膜在其晶化温度（~550℃）热处理后，获得Bs=1.4~1.7T，μi(1MHz)=5000~6000的纳米晶材料。这种材料耐热温度高达700℃，是比较理想的磁头材料。1988年，阿尔卑斯公司率先制成Fe-M-C（M=Ti，Zr，Hf，V，Nb，Ta）纳米晶薄膜并投入批生产，实际用作MIG录相磁头R-DAT薄膜磁头［6］。此后，采用纳米晶多层膜（如FeSi/NiFe，FeHfC/Fe等）的磁头相继实用化。