2.1.4后期处理

溅射纳米晶颗粒膜的后期处理是在真空状态下10-6Torr，分别在静磁场（UFA）和旋转磁场（RFA）中进行的。热处理的温度范围为100～600℃，保温1小时，升降温速度为100℃/小时，热处理时施加的磁场强度为1K（Oe）。

2.2纳米晶颗粒粒膜的磁特性分析

2.2.1  Co-Al-N纳米晶颗粒膜的磁特性

 Co75Al25为合金靶，气体为Ar+N ，调整N/N+Ar气流比，其溅射所得的纳米晶颗粒膜的磁特性见图1所示。当N=23.5at%时，所得到的纳米晶颗粒膜的电阻率最高，达到974μΩ-cm，但实验结果与计算值相差也最大。相反，当N=22at%时，所获得的颗粒膜的阻率最小，只有463μΩ-cm，而实验结果与计算值则基本吻合。当N=28at%时，则颗粒膜的电阻率次于N=23.5at%并优于N=22at%的状况，而此时，虽然Hk值接近于零，但μ′值在低频时也不超过100。从图中可见，显然，电阻率随含N量的变化存在一个峰值，但磁导率μ则随着N含量的增加而单调下降。理论计算表明，支配这种软磁颗粒膜μ′-f特性的主要因素是Bs、ρ以及Hk。图2示出了这些参数随静磁场(UFA)的温度变化特性。由图中可见：①具有高Bs的纳米晶颗粒膜，热处理温度变化对影响不大；而其它成份的颗粒膜的Bs随着热处理温度的上升而升高；②无论哪种颗粒膜的电阻率ρ都随热处理温度的上升而降低，电阻率ρ，开始下降的温度按含H的量从少到多顺序排列，即含N量为22at%的ρ开始下降时的温度最高；  ③含N量为22at%的颗粒膜的Hk不随热处理温度的变化而变化，含N量为23.5at%的颗粒膜的Hk值随热处理温度的上升而增大，但含N量为23.5at%的颗粒膜的Hk值与热处理温度无关，直到接近600℃时，Hk仍然保持在零值上下。