帕特·基辛格在接受外媒采访时表示：Intel最新开发的18A制程技术有两个主要创新点：新的晶体管和背侧电源技术。关于18A的晶体管与TSMC N2制程的晶体管相比，两者优劣尚且没有定论。但在背侧电源技术上，Intel处于业内领先地位。这项技术意义重大，它可以提高硅片的面积利用效率，降低成本，还可以提高功率传递，增加性能。基辛格认为，Intel18A在晶体管和电源传输两方面都有优势，整体而言略比TSMC N2制程领先一些。

根据目前已公开的信息来看，英特尔的18A工艺节点将使用全新RibbonFET晶体管以及名为PowerVia的电源传输技术。 预计18A制程相比20A制程，性能将有10%的提升。有报道称，ARM可能是Intel 18A制程的第一个客户，计划用于移动SOC领域，但这目前仅仅是一个传言。