1.扩流管P-MOSFET的功耗计算

    P-MOSFET在扩流时的功耗PD与输出电压VIN电池电压VBAT、肖特基二极管的正向压降VF及扩流电流ID有关，其计算公式如下：

PD=VIN-(VBAT+VF)×ID          (1)

    其最大的功耗是在VIN（max）及VBAT(min）时，即在扩流开始时（VBAT=3V），则上式可写成：

PDmax=VIN（max）-(3V+VF)×ID (2)

    若VIN（max）=5.2V、在ID=1A时，VF=0.4V，则PDmax=1.8W。选择的P-MOSFET的最大允许功耗应大于计算出的最大功耗。

    2.P-MOSFET的发热

    贴片式功率MOSFET采用印制板的敷铜层来散热，即在设计印制板时要留出一定的散热面积。例如，采用DPAK封装的MTD2955E在计算出PDmax=1.75W时，需11mm2散热面积；若PDmax=3W时，需26mm2散热面积。若采用双面敷铜板（在上下层做一些金属化孔相互连接，利用空气流通），则其面积可减小。若散热不好，功率MOSFET的温度上升，ID的输出会随温度增加而上升。所以足够的散热是要重视的，最好是实验确定其合适散热面积，使ID稳定。

    这里还需要指出的是，不同封装的P-MOSFET，在同样的最大功耗时，其散热面积是不同的。例如采用SO-8封装的Si99XXDY系列P-MOSFET时，封装尺寸小、背面无金属散热垫，其散热面积要比用DPAK封装大得多。具体的散热面积由实验确定。

    两种功率MOSFET

    这里介绍两种P-MOSFET：Si9933DY及MTD2955E。

    1.Si9933DY及MTD2955E的主要参数

    Si9933DY及MTD2955E的主要参数见表2。

表2 Si9933DY及MTD2955E的主要参数

    2.引脚排列

    Si9933DY引脚排列如图7所示，MTD2955E引脚排列如图8所示。

图7 Si9933DY引脚排列

图8 MTD2955E引脚排列