图3 括流部分电路

图4 P-MOSFET输出特性

    2、控制部分电路

    控制部分电路的目的是要保持原有的三阶段充电模式，在预充电阶段及恒压充电阶段不扩流，扩流仅在恒流阶段，如图5所示。

图5 括流电路的电流表现

    原充电器以1A电流充电，若扩流电流为1A，则在恒流充电阶段时充电电流为2A。图5中红线为充电电池电压特性、黑线为充电电流特性，实线为加扩流特性，虚线为未加扩流特性。从图5可看出：扩流的充电时间t5比不扩流的时间要短（图5中的时间坐标并未按比例画）；并且也可以看出：扩流仅在恒流充电阶段进行。

    为保证扩流在电池电压3.0V开始，在电池电压4.15V时结束，控制电路设置了窗口比较器，在电池电压（VBAT）为3.0～4.15V之间控制P-MOSFET导通。在此窗口电压外，P-MOSFET截止。

    在图2中，由R5、R6及R7、R8组成两个电压分压器（检测电池的电压VBAT），并分别将其检测的电压输入比较器P1及比较器P2组成的窗口比较器。R3、R4分别为P1及P2的上拉电阻，D2、D3为隔离二极管。充电电池电压VBAT与P1、P2的输出及P-MOSFET的工作状态如表1所示。

    从图2可看出：P-MOSFET的-VGS电压是由R2、RP往D1提供的，则P-MOSFET在上电后应是一直导通的。现要求在电池电压（VBAT）小于3.0V及大于4.15V时P-MOSFET要关断，则控制电路要在VBAT＜3.0V及VBAT＞??? 4.15V时，在P-MOSFET的栅极G上加上高电平，使其-VGS=0.7V，小于导通阈值电压-VGS（th），则P-MOSFET截止（关断）。现由P1、P2比较器及其他元器件组成窗口比较器实现了这一控制要求：无论是P1或P2输出高电平时，VIN通过R4或R3及D3或D2加在P-MOSFET的栅极上，迫使栅极电压为VIN=0.7V，则-VDS=0.7V而截止，满足了控制的要求（见图6）。图中，D1、D2、D3是隔离二极管，是正确控制必不可少的。

表1 充电电池电压和P-MOSFET工作状态

图6 窗口比较器电路

    P-MOSFET的功耗及散热