美国英特尔在2012年2月20日开始于美国举行的“ISSCC 2012”上，针对以0.28V的极低电源电压工作的x86处理器“Claremont”进行了技术发表（论文序号：3.6）。Claremont是英特尔在2011年秋季举行的“Intel Developer Forum”上发布的（参阅本站报道），不过之前一直没有公布过技术详情。Claremont采用32nm工艺CMOS技术制造。

Claremont以接近晶体管阈值电压的电源电压驱动，因此英特尔称这项技术为“Near-Threshold Voltage（NTV）”。通过采用NTV技术，可将电力效率提高4.7倍。

3MHz工作时的耗电量为2mW

0.28V工作时的时钟频率为3MHz，耗电量只有2mW。而1.2V工作时的时钟频率为915MHz，耗电量为737mW。Claremont的微架构相当于“Pentium”，是in-order的超标量型。配备有动态分支预测功能，指令及数据缓存的容量分别为8KB。缓存空间为不同于逻辑部的电源域。晶体管数量为600万个，芯片面积为2mm2。

该处理器的FPU电源也会在空闲时自动关闭。FPU的65％的栅极可以进入睡眠模式，只需1时钟即可恢复。FPU占内核逻辑20％的面积。

大幅优化标准单元库

此次的处理器还面向超低电压驱动大幅优化了标准单元库。从标准单元中去除了无法耐受工艺偏差和晶体管低开关比的电路。

比如，去除了4段以上的晶体管堆叠以及4输入以上的多路复用器。与3段堆叠和3输入相比，延迟时间分别增加108％和127％（在最大6σ的偏差下）。

不仅是组合电路，顺序电路为确保状态的稳定性，也进行了优化。采用了将传输门（Transmission Gate）换成时钟逆变器的触发器。