RCD回路的工作原理是：当MOSFET的漏端电压大于吸收回路二极管D1阴极电压时，二极管D1导通，吸收漏感的电流从而限制漏感尖峰电压。设计中，缓冲电容C1两端的电压Vsn要设定得比反射电压VRO高50--100V，如图四所示，称为漏感电压ΔV， Vsn不能设计太低，设计太低将增加RCD吸收回路功耗。缓冲电容C1的设计根据能量平衡，

IPKPMAX为全电压范围内IPKP的最大值，缓冲电容C1SN要承受大电流尖峰，要求其等效串联电阻ESR很小，R1根据功耗选择合适的W数，阻值一般在47K-120K之间，，吸收回路二极管D1通常选择快恢复二极管，且导通时间也要求快，反向击穿电压要求大于选择的MOSFET 的击穿电压BVDSS，一般在65W以下应用场合选用额定电流1A的快恢复二极管作为吸收回路二极管。

5.2.4 MOS管的选取

开关管MOSFET最大漏极电流IDMAX应大于开关管所流过的峰值电流IPKP至少1.5倍，MOSFET的漏源击穿电压（参考图四）BVDSS应大于最大输入电压，VOR以及漏感引起的尖峰之和，一般应留至少90%的余量。

5.2.5 次级整流管的选取

考虑一定的裕量，次级整流管D最大反向电压VRM需满足：

因为反激式开关电源次级整流二极管只有在电源Toff的时候才会导通，输出在导通时必须能够承受整个输出电流的容许值。输出二极管需要的最小正向导通峰值电流为：

Dmax为工作周期，如果设定Dmax为0.5则Ifps》4Iout

5.2.6 输出电容的选取

输出电容电压通常呈现两种纹波，一种是由高频输出电流引起，主要与输出电容的等效窜连电阻（ESR）大小有关，另外一种是低频纹波，为了获得较高的PF值，环路带宽通常较窄，因此输出不可避免地出现较大的两倍输入电压频率纹波，其值与电容大小有关，一般说来低频纹波满足要求时，高频纹波因为电容等效ESR够小，可以忽视。电容的容量可以参考各个厂家的规格书（一般选用高频低阻型）选用，根据产品的实际工作温度，电压和考虑产品的MTBF选取合适的电容系列型号。

5.2.7 IC主要外围参数选取

5.2.7.1 最大导通时间典型参数选取