其中，TOFF为MOSFET关断时间，I PKS（θ）为次级峰值电流瞬时值，Ls为次级电感量， Vout为输出电压， VF为输出整流管正向压降，n为初次级匝比，TOFF随输入电压瞬时值变化而变化。

工作电流波形如图二所示，可见，在半个输入电压周期内，只要控制TON固定，则电感电流峰值跟随输入电压峰值，且相位相同，实现高功率因素PF.

5.2下面将针对反激拓扑结构介绍相关参数设计流程

5.2.1首先根据实际应用确定规格目标参数，如最小交流输入电压Vinmin， 最大交流输入电压Vinmax，交流输入电压频率FL，输出电压Vout，输出电流Iout，最大两倍频输出电压纹波ΔVo等。 然后针对目标参数进行系统参数预设计，先估计转换效率η来计算系统最大输入功率；最大输入功率Pin可表示为：

再确定系统最小工作频率，LD7830 的开关频率是个变化量，表示为：

最小开关频率Fsw-min出现在最小输入电压的正弦峰值处。系统设计中，最小开关频率Fsw-min一般设定在35kHz或更高。

确定变压器反射电压VOR，反射电压定义为： VOR=n（Vout+Vf）， VOR的取值影响MOSFET与次级整流管的选取以及吸收回路的设计。

 5.2.2变压器设计

首先确定初级电感量，电感的大小与最小开关频率的确定有关，最小开关频率发生在输入电压最小且满载的时候，由公式推导有：

其中Ko 定义为输入电压峰值与反射电压的比值，即一般说来Ko越大PF 值会越低，总的THD%会越高。

确定初级电感量LP后，就该选择变压器磁芯了，可以参考公式AP=AE×AW选取，然后根据选定的磁芯，确定初级最小绕线圈数Npmin来避免变压器饱和，参考公式：

然后确定次级绕组匝数，初次级的匝比由VRO决定：

同理推导并根据规格书定义的Vcc电压可以得出Vcc绕组的匝数，LD7830的Vcc典型值设定在16V。

定义：

　LP：初级电感量

　NP：初级匝数

　IPKP：初级峰值电流

　BM：最大磁通饱和密度

　AE：磁芯截面积

　Po：输出功率

5.2.3 初级吸收回路设计

当MOSFET关断时，由于变压器漏感的存在，在MOSFET的漏端会出现一个电压尖峰，过大的电压加到MOS管的D极会引起MOS击穿，而且会对EMI造成影响，所以要增加吸收回路来限制漏感尖峰电压。典型的RCD吸收回路如图三所示：