上下游配合补短板
　　宽禁带半导体技术是新能源汽车功率芯片领域的关键核心技术，也是全球关注的细分研究领域和产业应用方向之一。由于欧美日等国在宽禁带半导体行业起步早、发展快，在新能源汽车领域已形成垄断优势，国内产业也面临着追赶难度大的问题。
　　在谈到国内外宽禁带半导体在新能源汽车应用方面存在的差距时，邹广才把国内产业面临的短板总结为了四点：“第一，产业起步晚，追赶难度大；第二，设计、开发、仿真、测试技术尚不成熟，封装等材料不成熟；第三，从芯片设计到应用的链条没有打通；第四，开放的公共研发服务平台和规范标准支撑不足。”
　　那么，业内应如何补齐这些短板？宋长庚在采访中特别强调了要加强基础材料的研究，比如提高碳化硅材料的制造效率，降低成本。“用碳化硅器件替代硅基器件时，系统需要部分进行重新设计。这就需要半导体器件企业与下游终端企业密切配合，以降低重新设计的难度和成本。”宋长庚说。
　　业内专家均表示，产业链的建设也是补齐短板的关键。耿博谈道，为了加速宽禁带半导体在新能源汽车领域的应用，要加速突破衬底材料、外延、芯片和封装测试瓶颈；要不断开发新工艺和新技术，加速实现6英寸SiC衬底和外延材料的产业化转移，降低材料的缺陷密度，提升产品良率并降低成本。邹广才则认为，应加大科技创新投入，加强产业学用等平台的融合，搭建产业生态，推动全产业链发展。
　　在补短板过程中，业界还需要关注几个重要的技术产品竞争维度。在邹广才看来，这些关键的技术产品竞争维度主要包括自主功率芯片、自主功率模块封装、基于宽禁带半导体的电驱动系统以及相应的测试验证平台。
　　宽禁带半导体进军新能源汽车虽迫在眉睫，但也不能操之过急。陈彤呼吁，国内在发展新能源汽车碳化硅领域时，一定要处理好“三慢”和“三急”的矛盾：首先是产业慢、资本急的根本矛盾；其次是产品慢、下游急的主要矛盾；最后是产值慢、规划急的实际矛盾。
　　陈彤认为，业界需要将这些矛盾认识清楚，并且有针对性地做好准备，否则投资越大，损失也越大。“如何认识高功率半导体的发展逻辑，如何做好投身碳化硅领域的准备，如何布局一个具体的碳化硅项目，这些问题是当前国内需要梳理清楚的重要问题。”陈彤对记者说。
　　其实，“三慢、三急”矛盾并非不可调和。相信未来，在产业链上下游企业的密切配合与协同发展下，宽禁带半导体进军新能源汽车领域面临的种种问题可以得到解决。

（敬请关注微信订阅号：dzbyqzx）