12月14日，由兆元光电总冠名的以“显示左右逢源 照明四处寻机”为主题的2020高工LED年会在深圳机场凯悦酒店正式拉开帷幕。

　　作为LED行业一年一度的盛会，本届年会获得了LED产业链、平板显示、LED行业协会等40余家单位的大力支持，报名参会的行业人士近1000人，现场人流如潮。

　　在由三雄极光冠名的开幕式专场，利亚德首席运营官姜毅发表了《领创Micro LED显示新时代》的主题演讲，覆盖Micro LED显示技术解析、发展趋势、应用场景等内容。

　　随着技术的不断进阶，主流显示技术实际上经过了多次迭代。姜毅介绍到，从CRT显示、LCD显示、LED显示，到OLED显示，再到Micro LED显示，显示技术一直沿着大空间和小空间两个范围在发展，如LCD显示、OLED显示一直在小空间里使用，并向大尺寸方向努力;LED显示一直不受尺寸限制，但是受像素密度限制，很难实现超高清显示，多在大空间里使用。

　　“但是我们走到了Micro LED显示时代，利亚德在展会上展出的162寸显示屏已经可以实现8K分辨率，像素密度满足小空间使用要求。”姜毅表示，Mini/Micro LED之所以备受关注，就连面板厂商都在布局，是因为可以通过这个新技术，实现大屏幕和LED厂商向小空间应用发展，小屏幕厂商也可以走向大空间，大家都找到了新业务支点。

　　而作为一项新技术，Micro LED显示技术的定义问题还没有绝对答案。为全面推进Micro LED显示技术研发，今年10月底利亚德联合晶电、利晶成立的Micro LED研究院发布了《2020 Micro LED显示技术及应用白皮书》，其中就从应用层面定义了Micro LED显示。

　　即：Micro LED显示为芯片长宽任意一边小于100μm的LED，采用巨量转移方式和无焊线工艺实现的LED显示产品;Mini LED显示则定义为芯片长宽均在100-300μm之间的LED，采用普通或巨量转移方式及无焊线工艺实现的LED显示产品。

　　判断是否属于Micro LED显示产品的关键维度有三点：Micro LED芯片、巨量转移技术、驱动IC技术。姜毅介绍到，单个芯片在100μm以下就是Micro LED芯片，同时这个芯片是通过巨量转移技术到显示平板上，还要有匹配的驱动IC。

　　“我们之所以把这三点列为定义Micro LED显示产品的标准，其实原因就在于这三点是我们在过去这么多年来在研究Micro LED产品的过程当中遇到的最大挑战。”姜毅表示，利亚德从2016年就投入人员、资金做Micro LED的研究，芯片技术、巨量转移技术、驱动IC技术是“三座大山”，攻克这三点，Micro LED显示产品基本就成型了。

　　显然，从2019年发布首款Micro LED产品到现在成为该领域极具竞争力的企业，利亚德已攻克上述问题。首先在芯片技术方面，利亚德进行了芯片产业合作，携手LED芯片大厂晶电成立了利晶，致力于Mini/Micro LED自发光和背光模组的生产。

　　另据姜毅介绍，利亚德不仅只是解决当下Micro LED芯片的问题，还在2017年前瞻性投资了第三代半导体公司Saphlux。Saphlux拥有两项全球领先的第三代半导体技术：半极性氮化镓材料以及NPQD(纳米孔量子点)Micro LED。其中Saphlux开发的全球首款基于纳米孔GaN材料(NPQD)的高效率量子点色彩转换Micro LED，解决了Micro LED中的红光效率、色彩、成本三项关键问题。

　　在巨量转移技术方面，姜毅通过视频向现场参会嘉宾展示了利亚德的巨量转移技术，即将Micro LED芯片布在玻璃基板上，再把玻璃基板放到巨量转移设备上，通过激光照射，进行类似焊接程序。姜毅表示，巨量转移技术是利亚德在2018年、2019年攻克的。

　　在驱动IC技术上，为更充分的发挥Micro LED的性能，利亚德花费了一年时间专门开发适配Micro LED显示产品的驱动IC，并于7月成功应用于四款量产的Micro LED商显产品中。姜毅介绍到，当时利亚德已实现HDR2.0，现在是HDR3.0，而且支持电影屏DIC-P3。

　　而随着Micro LED显示技术持续发展，姜毅表示会呈现三大趋势。一是针对Micro LED芯片，Micro LED未来的发展必然是无衬底及越来越小，像素材料成本不再是Micro LED显示系统的最大组成部分;二是玻璃基板将很可能是Micro LED技术继续进步的“绝配”，玻璃基板将与超微LED晶体、COB和倒装、巨量转移共同组成下一代LED独立显示屏和新一代液晶显示背光产品进步的“四梁八栋”;三是基于量子点的Micro LED方案，即将量子点作为色转换介质，采用蓝光或紫外LED激发，实现Micro LED全彩显示。