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浙江天通电子两项新品项目通过设计定型
[发布时间]：2008年12月8日 [来源]： [点击率]：1765
【导读】：     2005年6月5日，总装备部军用电子元器件认证委秘书处在海宁组织召开了浙江天通电子股份有限公司研制的“高性能电磁滤波NiZn磁芯”（R2k3 H8×...
    2005年6月5日，总装备部军用电子元器件认证委秘书处在海宁组织召开了浙江天通电子股份有限公司研制的“高性能电磁滤波NiZn磁芯”（R2k3 H8×4×5型磁芯）和“高性能NiZnTN5磁芯（R50x BF2.4×2×0.9型磁芯）新品设计目项目定型鉴定会。来自总装备总认证委秘书处、信息产业部、中科院物理所、中电科技集团53所、中电科技集团36所等单位领导和专家参加了会议。
    鉴定委员会听取了课题组的项目研制总结报告、成本分析报告、查新报告、用户使用报告等；以及测试组对项目现场抽样检测报告；资料审查组对工艺、设计等技术文件审查的报告；经过讨论，一致认为：
    1、两个项目技术文件和资料完整、规范，生产设备先进，检测手段完备，具备批量生产条件。
    2、两个项目产品的企业军用标准通过了信息产业部电子标准化所的评审确认，并通过了电子第五研究所鉴定检验。产品经用户使用，达到了使用要求。
    3、R2k3 H8×4×5型磁芯具有高磁导率［μi=2300×（1±10%）］、低剩余磁通密度及低损耗等特点，已达到德国西门子公司M13材料的技术指标，处于国内领先水平。产品主要应用于抗电磁干扰等领域。
    4、R50X BF2.4×2×0.9型磁芯具有低磁导率［μi=50×（1±10%）］、高居里温度及优良的温度稳定性等特点，已达到日本TDK公司M9N材料的性能指标，处于国内领先水平。产品主要应用于通信等领域。
     鉴定委员会一致通过两个项目的设计定型。
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