日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款高性能镀金属聚丙烯膜缓冲电容器——Vishay

RoedersteinMKP386M，该器件可直接安装在绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块上，容量从0.047μF到10μF，可在+105

℃高温下工作，有700VDC～2500VDC和420VAC～800VAC共7个电压等级。
 
　　MKP386M可承受2500V/μs的高能脉冲和1850A的峰值电流，寿命超过30万小时，可减少由切换IGBT引起的电压和

电流尖峰，这种尖峰是电磁干扰(EMI)的重要来源。典型应用包括功率转换器、频率转换器，以及风力机逆变器、中

功率和高功率太阳能逆变器、汽车动力总成中的电机驱动。Vishay还提供结构长度58mm的器件，用于高功率IGBT模

块。
 
　　缓冲电容器的ESR低至1.5mΩ，容量公差±5 %，引线间隔的每毫米自感为0.7nH，RMS电流高达20A。器件采用阻

燃塑料外壳和环氧树脂密封，无铅、无卤素，符合RoHS指令。
 
　　MKP386M现可提供样品，并已实现量产，供货周期为十周到十二周。