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IR新推同步开关芯片组用于驱动高频DC－DC转换器
[发布时间]：2008年11月10日 [来源]： [点击率]：2370
【导读】：     国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)日前推出新的控制及同步开关芯片组，专攻用来驱动新一代Intel及AMD处理器的高频直...
    国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)日前推出新的控制及同步开关芯片组，专攻用来驱动新一代Intel及AMD处理器的高频直流-直流转换器，适用于高羰先进服务器和台式计算机。该芯片组也可用于电信及数据通信系统的负载点直流-直流转换。
    这款二合一芯片组若用于开关频率达每相750kHz的四相1U(1.75英寸高)VRM系统，可在90A下体现84.5%的效率；若用于开关频率达每相400kHz的八相内嵌式VRD10.2设计，则可在150A下体现87%的效率。
    第一款器件是单片式IRF6691 DirectFETKY，它把一个肖特基二极管和一个同步MOSFET整合于单一封装内。若采用相同的控制场效应管，该器件在全负载状态及每相1MHz频率下，效率比市场上其它性能最佳的20V同步场效应管改善达1.1%。IRF6691在10VGS下的典型导通电阻(RDS(on))为1.2mΩ(在4.5VGS下为1.8mΩ)，典型Qrr为26nC。它不仅提供最佳热性能，而且逆向恢复损耗更低，也可减少整体部件数目。
    第二款器件是IRF6617 DirectFET HEXFET控制MOSFET。它是特别为控制场效应管开关度身订造，整体栅电荷(Qg为11nC)极低。与旧款30V器件相比，它能在4.5VGS下把导通电阻与栅电荷乘积减低33%至87mΩ-nC。
    两款器件皆采用IR已获专利的DirectFET封装技术，兼具一系列标准塑料离散式封装前所未有的设计优点。DirectFET功率MOSFET系列藉开展创新的双面冷却设计，有效把驱动先进处理器的高频直流-直流降压转换器的电流处理效能提升一倍。
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