涡流损耗还随器件或材料的结构尺寸平方而变化。在高频段，对MzZn铁氧体“尺寸”的控制在粒度。对表2所列商品铁氧体材料。其粒度 在5~10μm，密度等级在85%~90%。但在工厂生产中，能持续均匀地保持这种结构还有一些难度，因此也降低了一些磁特性。

3.2 铜箔绕组设计

在给定了绕组占据面积的情况下，对于初级铜箔绕组，拟用图1所示印制电路图形的设计制造方法，同时应避免其截面积的变化而取得最小电阻，即一串折叠绕组的内径、外径分别为Ri和Ro的环状扇形体，与相距X的相邻扇形体共切点连接，X必须大于2Ro。于此，每1/2匝的直流电阻由下式给出：

式中，t——铜箔厚度，P——导体的电阻率

由式（1）可见，要获得最小的绕组电阻，可以控制的两个主要参数是Ri（最小化）和t（最大化），但是，随着Ri的减小，罐形铁心柱中的磁通密度和铁心损耗都要增加，因此需要限制可以使用的最小Ri。而一旦铜箔厚度达到趋肤深度的两倍时，由于交流电阻不再受到附加铜箔厚度的影响，因此，绕组的铜箔厚度受到附加铜箔无效性的限制。在设计铜箔折叠绕组时应该考虑这种影响，同时要求根据某一选定的频率决定铜箔厚度的趋肤深度之比，以确定交流直流电阻比。其比值由下式给定：