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飞思卡尔：MRAM产品量产
[发布时间]：2009年7月3日 [来源]： [点击率]：2131
【导读】：     飞思卡尔半导体目前已经批量生产和提供其首款商用磁阻随机存取存储器(MRAM)设备。该公司4Mb MRAM是一款快速的非易失性存储器产品，结合了其他任何单个半导...
    飞思卡尔半导体目前已经批量生产和提供其首款商用磁阻随机存取存储器(MRAM)设备。该公司4Mb MRAM是一款快速的非易失性存储器产品，结合了其他任何单个半导体存储器都不具备的多种特性。该设备基于飞思卡尔的超过100项专利所保护的技术。
    同时，Freescale宣称其新器件平衡了读写速度，均达到类似于DRAM的35ns水平。该器件也有类似DRAM和闪存的单元密度，但是不会出现DRAM的渗漏问题。这款MRAM器件也可以像DRAM或SRAM一样具有持久性，综合了闪存的非易失性特点。
    编辑点评：Freescale采用了一个创新的MRAM单元结构来解决成本问题。MRAM模块不破坏标准半导体制造过程，将推动未来MRAM发展成基本的CMOS技术。
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