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富士通：2Mb FRAM芯片上市
[发布时间]：2009年7月3日 [来源]： [点击率]：1971
【导读】：     近日，富士通微电子宣布其2Mbit FRAM内存芯片已开始供货，该产品号称是目前全球可量产的最大容量FRAM组件。　FRAM组件可提供100亿次的读写周期，相...
    近日，富士通微电子宣布其2Mbit FRAM内存芯片已开始供货，该产品号称是目前全球可量产的最大容量FRAM组件。　
    FRAM组件可提供100亿次的读/写周期，相当于以每秒写入30次的速率连续写入10年。此外，FRAM组件不需要电池即可储存资料达10年以上。
    MB85R2001芯片组与MB85R2002芯片组两种产品的读取时间均为100ns，读/写周期则为150ns，操作电压则介于3V到3.6V之间。
    编辑点评：相比于以电池供电的SRAM组件，FRAM不需要使用电池的优势，可让顾客简化生产流程，并省去更换电池及产品维护的麻烦。此外，MB85R2001和MB85R2002符合环保相关国际法规。
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