[发布时间]：2017年5月2日
[来源]：半导体器件应用网
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英特尔的22FFL由两项技术组成，即高性能和低泄漏。它提供了广泛的器件功能和选项。英特尔将在年底前为代工客户提供22FFL技术。
22nm finFET拥有更好的性能，但有一些问题。Coventor的Fried说：“FinFET是一种相对较高的前端电容技术。FD-SOI可能是一个明显较低的前端电容解决方案。前端电容是否是最大问题决定了您是否关心FD-SOI。”
当然客户也可以保持在28nm以上。诸如22nm，12nm等新节点为客户提供更多的选择。最大的问题是新技术是否会获得牵引。
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