那么，有一些客户想要获得性能提升，但无法承受16nm/14nm的价格，他们还有一个选择，那就是22nm。Jones说：“28nm节点停留了很长时间。22nm是28nm的缩小版。您可以看到在性能和面积方面的提升，但(在28nm和22nm之间)没有明显的晶圆成本。”

　　因此，22nm是有意义的，虽然有人有不同的看法。Gartner分析师Samuel Wang说：“我不相信22nm会受欢迎。现在在成熟的28nm节点上有更多的选择。另外，28nm的晶圆价格很低。”

　　22nm的第一个玩家，GlobalFoundries的FD-SOI

　　无论如何，为了防止市场突然发力，客户必须关注22nm选项。进入22nm的第一个玩家是GlobalFoundries，近两年前，他宣布推出了22nm的FD-SOI技术。有一段时间，三星推出了28nm的FD-SOI。

　　FD-SOI与传统的bulk CMOS不同。例如，在bulk CMOS逻辑中，硅芯片制造商开发未加工的芯片。然后在衬底上生长薄的外延层，产生外延片。

　　相比之下，SOI涉及到由Soitec开发的Smart Cut工艺过程。该工艺过程从两个硅片(A和B)开始。第一个芯片(A)在顶部氧化，产生二氧化硅绝缘层。

　　然后，使用离子注入机将氢离子注入顶层。这反过来又在氧化物下面形成了一个弱化层。

　　经过处理的硅片(A)在未经处理的硅片(B)的顶部被翻转。两个芯片在弱化层被切成两半。对底部的硅片(B)进行退火和抛光，即可得到最终的SOI硅片。另一个硅片(A)被重新用于制造另一个SOI硅片。

　　基本上，SOI硅片在基板中结合有薄的绝缘层，作为抑制泄漏的手段。绝缘层或掩埋氧化物层(BOX)的厚度约为20nm至25nm。Soitec执行副总裁兼首席技术官Carlos Mazure表示：“我们倾向于根据客户的要求调整厚度。”

　　与此同时，在晶体管级别，FD-SOI、bulk CMOS和finFET之间有一些相似之处。22nm FD-SOI和22nm bulk CMOS都是平面工艺。在基本平面CMOS工艺中，晶体管具有源极和漏极。电流从源极流向漏极。

　　相反，finFET是类3D结构。在finFET中，电流的控制通过鳍上的三个侧面上各实现一个栅极来完成。

　　随着节点接近20nm，平面技术存在着一些问题。随着芯片制造商在每个节点上对晶体管进行比例调节，沟道长度变短。结果，沟道可能会遇到所谓的短沟道效应。这又降低了器件中的亚阈值斜率或关断特性。

　　变异性是另一个问题。基本上，bulk CMOS晶体管可能与它在器件中的标称特性不同。这可能会在阈值电压方面产生随机差异。罪魁祸首是一种称为随机掺杂剂波动(RDF)的现象。RDF由通道中的掺杂剂原子的变化引起。

　　IBM研究部高级技术人员Terry Hook表示：“在常规晶体管中，门下方的沟道区域耗尽了移动电荷，使掺杂剂原子离子化。这些原子的电荷与栅极功能一起决定了阈值电压。耗尽区的深度控制着静电。耗尽区下面是中性硅，有很多移动载流子。”

　　解决问题的一种方法是迁移到完全耗尽型晶体管，即finFET和FD-SOI。Hook 表示：“RDF也会影响阈值失配和整体泄漏。在finFET和FD-SOI中，沟道掺杂剂最小化，可以有一次性匹配的优势。”

　　Hook 表示：“在RDF方面，FD-SOI和finFET比bulk更好。FD-SOI还具有比传统的平面bulk更好的短沟道效应，但不如finFET那样好。FD-SOI需要更薄的耗尽区才能达到相同的静电特性，因为它只是从一侧控制，而不是像FinFET那样是两侧。”

　　FD-SOI的最大卖点是逆向偏压(back-bias)。Hook 表示：“它具有通过在背栅中偏置和掺杂的方式来控制阈值电压的独特功能。”

　　同时，为了发挥FD-SOI的优势，GlobalFoundries正在准备22nm FD-SOI技术，称为22FDX。技术档案(PDK)已准备好，今年晚些时候开始出货晶圆。

　　22nm FD-SOI结合了finFET性能和28nm的成本。它还支持射频等功能。 GlobalFoundries产品管理团队高级副总裁Alain Mutricy说：“我们选择了FD-SOI，因为它提供了性能、功率、尺寸的最佳组合。我们的工艺流程完全符合生产要求，我们在高增长领域(如移动，物联网和汽车)方面看到了强劲的客户需求。”