图7  TLP250驱动IGBT

保护端为过压、过流保护输出端口，一旦过压、过流，保护模块将输出高电平并且保持，禁止TLP250输出脉冲，直到故障解除后复位。

本设计开关频率为10kHz，三极管BD237/238（NPN/PNP），VCBO=100V，集电极峰值电流Icm=6A（tP<5ms）,完全可以达到要求。

R3、IGBT的门极之前，加一小电阻（一般为10～20Ω），用以改善IGBT的开关波形，降低高频噪声。DSP的PWM输出经过上述TLP250光耦电路后的波形输出见图8。

               图8  Buck单元PWM经过光耦后的波形输出(×10)

可以看出，推挽后的电容C2为加速开通和关断作用；与C3并联稳压二极管产生恒定的5.1V反压，当PWM输出高电平，IGBT的CE两端电压差为8～9V，使IGBT导通；当PWM输出低电平，IGBT的E极的5.1V反压可以保证IGBT可靠关断。

② 三相逆变桥SPWM驱动的设计
TLP250光耦驱动能力比较大（Io=±1.5A）可以直接驱动中功率IGBT，本文已在上节作了详细说明，在此不再赘述，具体驱动电路如图9所示。

                   图9  TLP250光耦直接驱动IGBT

系统启动后，设置输出调制正弦波频率为50Hz（±0.01Hz），死区时间4.0μs时的SPWM经过74HC244N缓冲驱动后波形如图10所示，死区时间如图11所示，以上桥臂1（PWM1）和下桥臂4（PWM2）为例，上下对称，其中CH1通道观测PWM1，CH2通道观测PWM2。

   图10 EVA事件管理器输出的SPWM波经过光耦驱动后的SPWM波形

由DSP的EVA事件管理器输出的SPWM波经过光耦驱动后的SPWM波形见图10。

IGBT逆变桥上下桥臂波经过光耦驱动后死区时间情况如图11所示。

   图11  EVA事件管理器输出的SPWM波经过光耦驱动后死区时间情况