在此以SJ-T2355-半导体发光二极管芯片的静电抗干扰测试为例，简单说明兼容性测试应该如何具体去实施，以及如何检验。
SJ-T2355-半导体发光二极管芯片的静电放电敏感性测试和分类：
1) 人体模式的静电放电敏感性测试
图1人体模式的静电放电敏感性测试原理图
① 双极性脉冲发生器应该设计为避免重复充电和产生双脉冲。不能靠交换A、B端点来获得双极性性能。
② 开关SW1须在脉冲通过后关闭10ms～100ms，以确保被试插座不在充电状态，它也应该先于下个脉冲到来前至少开启10ms。电阻R1和开关串联以确保器件有一个慢放电，这样就避免了一个带电器件模式放电的可能性。
③ 图1中评价电阻负载1为：一种截面为0.83mm2～0.21mm2镀锡铜短路线，跨距适合试验插座。负载2为：500Ω，±1%，1000V，低电感薄膜电阻。
④ 示波器要求：最小灵敏度100mA/cm(电流传感器)，带宽350MHz，最小写入速率1cm/ns。
⑤ 电流传感器要求
最小带宽350MHz;
峰值脉冲电流12A;
上升时间小于1ns;
能采用1.5mm直径的实导体;
能提供1mv/mA～5 mv/mA的输出电压;
⑥ 测试插座上再叠插一个插座(第二个插座叠插在主测试插座上)的情况，仅在第二个插座的波形满足本标准的要求才允许;
⑦ 使用短路线，分别获得各敏感度等级的电流波形，修正这些波形使满足图2的要求;
⑧ 电流脉冲应满足下列特性
脉冲上升时间tr为：5ns～25ns;
最大允许振铃波峰对峰值Ir必须小于Ipr的15%，脉冲起始后要求100ns内没有明显振铃波;
如图4所示，Ipr是通过500Ω负载电阻的峰值电流，对于1000V预充电压它应在375mA～500mA之间。对于4000V预充电电压它应在1.5A～2.2A。它不应小于相同灵敏度等级的早先测量得到的Ips值的63%。
图2 通过短路线的电流脉冲
图3 通过短路线的电流波形
图4 通过500Ω电阻的电流波形
测试步骤：
静电放电测试时要求一次至少使用三个样本，每个样本规定的静态和动态参数都要事先进行测试并记录。