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变频器的温升及其试验方法探讨
[发布时间]:2012年3月27日 [来源]:21ic电子网 [点击率]:4880
【导读】: 1 引言随着新型电力电子器件和高性能微处理器的应用、控制技术的发展、电机传动技术的发展和国家节能减排的需要,变频技术产品在国民经济各行业得到很好应用,资料显示,2010年低压变频器行业增长30%以...

1 引言

随着新型电力电子器件和高性能微处理器的应用、控制技术的发展、电机传动技术的发展和国家节能减排的需要,变频技术产品在国民经济各行业得到很好应用,资料显示,2010年低压变频器行业增长30%以上,规模达到160亿元。一个品质良好的变频器都应该通过产品质量认证及其完整的试验,试验类型包括型式试验(typetest)、出厂试验、抽样试验、选择(专门)试验、验收试验、现场调试试验等。温升试验是型式试验里的很重要的一项试验,其温升值可间接反映出变频器的工艺结构及电气设计水平、多种缺陷及故障隐患等。温升的上限值过高会造成因过载、过流、环境温度增加而烧毁变频器。温升的上限值过低会带来变频器的体积过大、成本增加等不利因素。变频器的故障率随温度升高而成指数上升,使用寿命随温度升高而成指数下降,环境温度升高10度,变频器使用寿命减半。所以应保证变频器的使用温度,认真考虑其散热问题。

2 变频器的主要发热部位及成因

变频器主电路原理图如图1所示,一般分为整流部分、滤波部分和逆变部分及控制部分。

 

2.1变频器的发热机理及主要发热部位

变频器的主要发热部位也就是整流及逆变部分。整流一般采用三相桥式整流电路,由于是工频工作,对整流模块的开关频率没有太高的要求,选择压降小的整流模块可降低这一部分的温升。在变频器工作时,作为完成功率变换及输出的执行器件,逆变模块产生的热量是非常大的。

目前主流变频器的逆变模块一般采用igbt模块(insulated gate bipolartransistor绝缘栅双极型晶体管),igbt是由mosfet和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为mosfet,输出极为pnp晶体管,因此,可以把其看作是mos输入的达林顿管。它融和了这两种器件的优点,既具有mosfet器件驱动简单和快速的优点,又具有双极型器件容量大的优点,igbt作为电压型控制器件,具有输入阻抗高、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、通断速度快、工作频率高、功率容量大等优点,

因而在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用。一般情况下流过igbt电流较大,开关频率较高,故而器件的损耗也比较大,如果热量不能及时散掉,使得器件的结温tj超过tjmax,则igbt可能损坏。igbt模块的芯片最大额定结温tjmax是150℃,在任何工作条件下,都不允许超过,否则要发生热击穿而造成损坏,一般要留余地,在最恶劣条件下,结温tj限定在125℃以下,但芯片内结温监测有难度,所以变频器的igbt模块,都在散热器表面装有温控开关,其值在80~85℃之间。当达到此温度时,即因过热保护动作,从而自动停机,以确保igbt的安全。也有用热敏电阻进行保护的。igbt的损耗不仅与工作电流大小有关,更重要的是与变频器的载波频率密切相关。当pwm信号频率>5khz时开关损耗会非常显著,温升会明显增加。igbt的功耗包括稳态功耗和动态功耗,其动态功耗又包括开通功耗和关断功耗。

其他如半导体器件与导体的连接处、母线(排)、浪涌吸收器与主电路的电阻原件等也在变频器工作时产生热量,其温升极限值在国家标准中也做出相应规定。

2.2 在使用中导致变频器温升升高的几种因素

(1)大多变频器实际使用都装在变频控制柜装置内,这就等于改变了变频器的使用环境条件。如防护等级、环境温度、通风等,这些因素造成温升升高。

(2)开关频率:igbt 的发热有集中在开和关的瞬间。因此开关频率高时自然变频器的发热量就变大了。

(3)变频器的温升试验应以较严酷等级试验为依据,除非与用户达成某种协议。在温升试验时应选脉宽调制频率的上限,不能满足要求时应考虑降容使用并应在使用手册中指明。

(4)风道过滤网堵塞、散热风扇故障及灰尘等。

(5)使用环境温度过高。

3 变频器温升设计要点

温度上升对igbt参数有很大的影响,严重时导致失效甚至损坏。温度上升包含两个意思:一是igbt中的电磁场能量转化为热能,主要由于器件中的电阻热效应;一是器件发热与外部冷却之间的相互作用,发生的热量如果不能及时散发出去,即散发能力不够,则使温度上升。如果器件工作温度超过最高结温,器件中的晶体管就可能会被破坏,器件也随即失效,所以应采取各种途径降低结温或是让结温产生的热量尽快散发到环境中。

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