磁阻传感器是基于磁阻效用，即磁材料的电阻随磁场变化而变化。磁阻效用包括各种磁阻效用。（AMR）、巨磁阻（GMR）等等。以AMR为例。当外部磁场与磁体内建磁场方向有视角时，磁体内部的磁化矢量偏移，导致薄膜电阻降低。磁场的强度或方向可以根据测量电阻的变化来计算。GMR效用发生在结构中，由铁磁材料和非铁磁材料层析组成。当电阻在外部磁场作用时，它比没有外部磁场时有很大的变化。

二、结构差异

TMR角度传感器：

TMR角度传感器通常由TMR传感器芯片和永磁体组成。多个MTJ结构集成在TMR传感器芯片内部，每一个MTJ结构都包括固定层、隔离层和自由层。在制造过程中固定了固定层的磁化方向，而自由层的磁化方向可以随着外部磁场的变化而变化。永磁体用于产生稳定的磁场，当永磁体旋转时，它产生的磁场方向会发生变化，从而影响TMR传感器芯片中随意层的磁化方向，从而引起隧穿电阻的变化。

磁阻传感器：

磁阻传感器的结构比较简单，主要由磁敏电阻元件和信号处理电路组成。磁敏电阻元件是磁阻传感器的核心部分，由磁性材料制成。当磁敏电阻元件受到磁场作用时，其电阻值发生变化。信号处理电路用于测量电阻值的变化，并将其转换为可识别的电信号。

三、特征差异