TMR角度传感器和磁阻传感器在原理、结构、特性和应用上存在显著差异。TMR角度传感器具有高精度、高灵敏度和低功耗的特点，广泛应用于工业控制、汽车电子和航空航天等领域；而磁阻传感器因其简单、廉价，广泛用于各类磁场测量。选择ADUM1301BRWZ传感器时应考虑实际需求和环境条件。

TMR（Tunneling Magneto Resistance，隧道磁电阻)角度传感器和磁电阻传感器在磁电测量领域起着重要的作用，但在原理、结构、特点和应用上存在明显差异。以下是对这两种传感器差异的详细分析。

一、原理差异

TMR角度传感器：

基于隧道磁电阻效应的TMR角度传感器，这种效应出现在带磁隧道结（MTJ）中间。MTJ通过非磁性绝缘层(隔离层)将两个铁磁层(固定层和自由层)隔开。当绝缘层足够薄时，电子可以通过量子隧穿效应从一个铁磁层穿越到另一个铁磁层。隧穿电阻的大小取决于两个铁磁层的磁化方向:当磁化方向平行时，隧穿电阻较小；当磁化方向反平行时，隧穿电阻较大。因此，通过测量隧穿电阻的变化，可以反映两个铁磁层磁化角度的相对变化，从而确定磁场的方向和强度及其旋转角度。

磁阻传感器：