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联建MiniLED可支持军工产品;錼创Micro LED 5年内成本降低 95%;Aledia完成8000万欧投资
[发布时间]:2020年10月16日 [来源]:行家说Talk [点击率]:2800
【导读】: 近日,有投资者在投资者互动平台向联建光电询问公司的Mini LED是否支持军工产品以及是否可以运用到军工领域,对此,联建光电回答,公司产品线以小间距显示产品为主,可为军队、政府、智慧城市、公检法、...

  近日,有投资者在投资者互动平台向联建光电询问公司的Mini LED是否支持军工产品以及是否可以运用到军工领域,对此,联建光电回答,公司产品线以小间距显示产品为主,可为军队、政府、智慧城市、公检法、交通、能源、广电等领域提供数字显控系统解决方案。未来业务发展及战略布局紧紧跟随从小间距到微间距以及到Micro LED的技术发展趋势,并将通过合作开发、自主研发等方式,布局Micro/Mini LED领域市场,力争早日将MicroLED产品投入市场销售。截至目前已推出部分Mini-LED产品。

  此外,投资者还提出了联建光电全倒装芯片属于自产芯片还是联合开发芯片,是多少nm的芯片等问题,联建光电回应,从产业链分工来讲全倒装芯片隶属于LED产业链上游,公司主要业务为LED产业链下游的LED应用,全倒装芯片既不是公司自产也不是联合开发的,均来自于向外购入。

  联建光电还提到,公司于2019年12月与重庆康佳研究院(康佳集团和重庆市璧山政府合作成立)共同设立主要从事Mini LED及Micro LED大屏显示产品研发、生产制造的合资公司康联光电。将康佳在Mini LED和Micro LED上的先进技术优势与公司的市场及客户资源优势进行互补,加快Mini LED及Micro LED在公共视讯的商用化进程。

  錼创:5 年内 Micro LED 成本将降低 95%

  錼创执行长李允立近日受访时表示,如今关键客户愿意出资扩产,Micro LED 量产并不是随口喊喊,未来营收将增加至1亿美元。

  Micro LED 最大的困境在于巨量转移的良率还是不够,虽然目前业界已陆续展出相关产品,但显示器等级的Micro LED 面板要量产其实仍不容易,尤其成本仍居高不下。不过Micro LED 供应商錼创很有信心的表示,在5 年内Micro LED 成本将降低95%。

  加速扩产

  今年錼创将会持续扩大募资,且已与友达携手研发车用相关产品。据《电子时报》报导,錼创称自明年开始,Micro LED 成本将开始显著下降,营收规模将拉升至3,000 万美元,在投资人积极支持之下,将有望拉开竞争对手两年的距离,不仅有望避免流血竞争,更可追上OLED。目前第一阶段资金已经到位,但设备购置还需要时间,所以顶多赶在今年底扩产。

  不过相关重要策略投资人对此都很有信心,预计完成后,产能最多可扩充至3 倍,且这还仅能满足明年的需求,2022 年营运走向还待决议。毕竟Micro LED 制程与传统面板大不相同,需要供应链上下游通力合作,这还需要更多的沟通协调,但明年就有计划要上市。

  且值得注意的是,錼创仍自许为模组整合公司,业务将专注在驱动设计等软体走向,而非大规模制造,当然也不排除这个选项。不过更多还是倾向与晶电体系形成合作关系,由晶电来发挥磊晶与晶粒制程的优势。

  成本与良率

  不过錼创也说明了能降低成本的重要关键,就在于明年就可以缩小晶粒尺寸近50%,并能量产产主要规格30×60μm,当然实际进程仍有看客户验证,依目前最先进的技术,可以做到5μm,但亮度仍是问题。錼创强调,虽然目前良率仅99.9%,但加上巨量修复技术,很快就能达到商业化量产的程度。

  透过磊晶使用率、晶粒波长均匀度、晶圆利用率等技术指标的同步提升,Micro LED 在5 年内将有望与OLED 竞争,不过錼创认为,Micro LED 应与OLED 做区隔,如80~90 吋以上超大尺寸电视,OLED 成本将急遽上升,将会是更适合Micro LED 发挥的领域。虽然投入Micro LED 的大厂众多,但錼创仍企图成为高阶产品供应商,及规格制定者。

  Micro LED公司Aledia宣布完成8000万欧元投资

  上个月,总部位于法国的3D GaN LED开发商Aledia宣布计划在法国格勒诺布尔附近的Champagnier建立一个1.4亿欧元的LED生产工厂。近日,该公司宣布完成了计划的1.2亿欧元D轮投资中的8000万欧元资金。

  该轮的主要投资者是由法国国家投资银行管理的工业项目公司基金(SPI)。包括英特尔投资在内的大多数现有战略投资者都加入了SPI。

  Aledia计划于2022年之前在新工厂生产LED,该公司将完成其微型显示器的生产,并将开始提供Micro LED微型显示器。

  Aledia基于独特的3D结构开发了一种Micro LED生产工艺,该结构使用硅基氮化镓纳米线(GaN-on-silicon nanowires),其商标为“WireLED”。这项技术最初由Leti开发。

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