<为5g基站带来革新的sic功率元器件>

　　当然,除了供电方式发生变化,5G基站建设对器件材料变革也有推动作用。由于高频、高温、抗辐射以及大功率等挑战,以SiC功率元器件(③)为首的高性能半导体材料将在5G建设上有重要应用。为了帮助客户更好地应对5G基站建设过程中的上述挑战,罗姆已经推出第三代碳化硅材料的肖特基势垒二极管(SiC-SBD)。

　　罗姆SiC-SBD产品开发示意图

　　相较于第二代产品,第三代拥有更好的正向电压(VF)特性和更好的反向电流(IR)特性。

　　得益于罗姆第三代SiC-SBD更好的VF和IR特性,客户在设计产品的过程中可以采用更低的开启电压,在正向切为反向时,为了降低功耗,器件将产生更小的瞬态电流。但是,因为SiC-SBD的瞬态电流本质上不随正向电流变化,恢复时产生的恢复电流很小,降低了系统噪声。

　　相比一般产品,第三代 650V SiC-SBD表现出更好的产品性能,包括实现更高的IFSM,更低的漏电流,以及进一步降低VF等。

　　目前,罗姆在650V SiC-SBD方面拥有丰富的产品组合。

　　罗姆650V SiC-SBD产品阵容

　　面对5G基站建设多样化的需求和复杂的应用环境所带来的挑战,罗姆将持续保证所供应电源器件的稳定性和耐久性,助力运营商和设备厂商完成高速稳定的网络覆盖。当然,除了我们熟知的电源器件,罗姆还供应电流传感器和LVDS接收器等其他元器件,了解更多器件,请登录罗姆官网查看详情。

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