引言
　　半导体激光器（LD）具有体积小、重量轻、转换效率高、工作寿命长等优点，在工业、军事、医疗等领域得到了广泛应用。LD 是以电流注入作为激励方式的一种激光器，其使用寿命、工作特性在很大程度上取决于所用驱动电源的性能好坏。
　　设计一个符合 LD 技术要求、性能稳定、工作可靠的驱动电源是十分必要的。近年来，有不少科研单位研究开发了一系列 LD 用电流源，保证了 LD 的正常工作。
　　半导体激光器本身的性质决定其抗浪涌冲击能力差，这就要求驱动电源的稳定度高，浪涌冲击小，因此驱动电源中需要各种保护电路以满足实际要求。通常用慢启动电路、TVS（瞬态抑制器）吸收电路、限流电路等来防止浪涌冲击及电流过大。但大功率半导体激光器的工作电流较大，并且半导体激光器比较脆弱，传统的慢启动电路、TVS 吸收电路不能很好地满足实际要求。本文在参考各种实用的保护电路基础上，设计出应用大功率器件强制吸收或隔离浪涌冲击和双限流保护电路，有效地保护半导体激光器不被损伤，具有较好的实际应用前景。

　　2　原理分析
　　2.1　半导体激光器损坏机理分析
　　在正常条件下使用的半导体激光器有很长的工作寿命。但在不适当的工作条件下，会造成性能的急剧恶化乃至失效。统计表明，半导体激光器突然失效，有一半以上的几率是由于浪涌击穿。因而如何保护半导体激光器，延长半导体激光器的使用寿命是研制大功率半导体激光器驱动电源保护电路的重要问题。主要应考虑：
　　1）激光器必须工作在限制电流以内，一个安全可靠的限流电路是不可缺少的。
　　2）为了防止驱动电源浪涌冲击，必须有比较强的浪涌吸收电路。
　　3）由于激光器是一种敏感的电流元件，所以驱动电流不能直接加在激光器两端，慢启动电路对激光器的防护也是必不可少的。

　　2.2　传统保护电路的特点
　　1）在隔离变压器的原边和副边加上 TVS 器件，利用其高速响应特性抑制过高的电网浪涌电压和雷电感应电压。这种措施比较有效，但受限于 TVS 的响应速度，如果响应速度达不到要求那就不能很好抑制浪涌冲击。
　　2）在直流电源和激光器之间增加π型低通滤波网络，进一步滤除浪涌电压。如能采用屏蔽电感和无感突波吸收电容则性能更佳。这实际上就是无源滤波，对降低电源纹波和吸收比较小浪涌有效。但对于大的浪涌，这种电路将会失效。
　　3）在直流电源和激光器之间增加慢启动电路使供给激光器的电压缓慢升高，避免突然上电或断开电源时给器件造成的冲击，同时，此举还能避免电路中分布电感引起的浪涌冲击。这种电路是必不可少的而且是切实有效的。
　　4）限流电路。这种电路也是必不可少的，但传统的限流电路通常是单路限流。

　　2.3　本电路设计主要特点
　　1）充分考虑并吸收了传统保护电路一些优秀设计思想，设计了电源开启时软启动电路，防止开机浪涌对器件和半导体激光器的损害。由于这种电路比较成熟，本文没有做详细阐述。
　　2）设计了双电流限制电路，保证通过半导体激光器的电流不会过流。
　　3）采用功率器件（MOS 管）开通或关断来强制吸收或隔离浪涌，防止浪涌对半导体激光器损坏。
　　4）在激光器开通和关断的工作中设立慢启动过程，以减小工作中产生的浪涌对激光器产生不良影响。

　　3　保护电路的设计原理
　　3.1　限流电路的设计
　　这是个双限流电路，两个限流电路确保通过激光二极管（LD）电流不会超过设定值。具体工作原理如图 1 所示。

　　Q1 为 P 型 MOS 管，Q2 为 N 型 MOS 管。流过 Q1 的电流通过采样电路 1 变为电压信号与基准电压相比较，通过负反馈电路 1 控制，可使得流过 Q1 的电流恒定。通过半导体激光器 LD 的电流经过采样电路 2 变为电压信号与电流调节端电压相比较，如果流过半导体激光器的电流超过设定值，经过负反馈电路 2 调节使得通过 Q2 的电流增加，导致通过 LD 电流减小；流过 LD 的电流太小，经过采样电路 2、负反馈电路 2 调节可使得流过 Q2 的电流变小，导致流过 LD 的电流变大，如此反复，通过负反馈电路的控制可使得流过半导体激光器的电流恒定，这种负反馈过程建立的时间很快。

　　3.2　浪涌吸收电路及慢启动电路的设计
　　浪涌多发生在功率器件开通和关断的瞬间，因为这个瞬间电路会有很大电流流过或者电路中某个器件两端会有很大的电压。图 2 为浪涌吸收及慢启动电路原理图。