中国制造的电子产品在全球市场已逐渐崭露头角，但用于制造产品的半导体组件，大多得仰赖进口，根据统计，中国对半导体组件的需求量占全球总值的四成，但自给率只有一成，已是当前全球最大的组件进口国。为降低进口需求，半导体产业为其中重点发展项目之一。

　　芯片生产主要的两大元素分别是资本与技术，中国在2014年成立「大基金 （国家集成电路产业基金）」，首波募资金额高达1,372亿人民币，重点投资项目包括芯片制造业，设计、封装测试、设备和材料等产业，去年又加码募集第二波基金，规模可望破1,500亿人民币。显然对中国企业而言，在政府的支持下，资金需求不成问题，但技术就非单靠资本充足就可以取得。

　　本篇将从半导体产量、技术及市占率等分析中国大陆半导体产业目前发展进程。另外，本文也将探讨身为市场后进者的中国大陆，如何利用各种措施，在已占有先驱优势的全球半导体厂商中，挤入竞争激烈的半导体市场中，并试图在其中占有一席之地。

　　加速厂房建置 产量从3%成长至20%

　　美中科技战凸显中国急需摆脱对半导体组件的进口依赖，而美国相继祭出的各种阻挠手段，也显示其惧怕中国可能掌控先进技术运用在军事设备上，进而取代美国在全球的霸权地位。

　　根据IC Insights统计，截至2017年底，中国台湾厂商晶圆产能占全球达21%，中国大陆拥有的12吋晶圆产能目前只占全球9%，而中国大陆本地厂商仅生产3%的全球产量，但很快地这情况将改变。

　　根据SEMI统计，到2020年，中国大陆晶圆产能将会占全球产能的20%，而同时新厂计划带来大量的半导体制造设备需求，估计中国大陆将成为今年全球第二大的设备支出国，仅次于韩国。中国大陆的设备支出成长率在2018年已高达65%，今年预期将达到57%，而所有新厂计划中除了中国大陆厂商外，主要的国外半导体大厂都已纷纷到中国设厂，包括三星、SK海力士及英特尔。

　　以晶圆代工市占率分析，目前大陆台湾地区晶圆代工厂（Foundry）的全球市占率约达六成，仍大幅领先中国大陆及其他地区。技术领先是晶圆代工厂能持续拥有高市占率的关键因素。

　　目前台积电拥有最新制程7纳米，美国Global Foundries在财务考虑下已宣布扩展7纳米制程，中国的中芯国际技术仍大幅落后最新制程，去年成功试产14纳米，据分析中芯至少尚需六年才能赶上先进技术。
然而在政府的大力扶植下，资金无虞的中芯国际，将会持续在技术上有更新突破，未来竞争力尚不容小觑。

　　切入3D NAND Flash技术 摆脱内存紧箍咒

　　向来呈现高度寡占的NAND Flash及DRAM内存市场，也是政府重点扶植发展项目。将近99%的NAND Flash市场把持在前六大厂商中，同时韩国三星、SK海力士与美光共拥有将近九成DRAM市占率，预测中国大陆内存厂要想成为其中一员，恐怕不是那么容易，但目前似乎已逐步在3D NAND Flash 市场找到切入点。

　　中国大陆在2014年成立了三家内存厂，分别为长江存储、合肥长鑫及福建晋华。其中长江存储在母公司紫光集团积极向外洽谈技术合作与授权的条件下，已成功在2018年首度小型量产32层3D NAND芯片，并将继续研发下一代64层芯片。

图1 : NAND Flash制程技术进程

　　而另外两家中国大陆DRAM厂，情况似乎就不这么乐观了。虽然在前年宣告，根据规划可望于今年上半年量产，当时媒体号称2019年将是中国内存生产元年，但在美国祭出出口禁令及智财权与营业秘密的诉讼下，恐怕将严重影响原订量产期程。

　　事实上，产业观察者普遍认为中国大陆内存厂除非通过与其他领先厂商的技术合作，或冒险游走专利侵权边缘，否则要成功生产DRAM的心愿不大可能达成。

　　值得一提的是，近年异军突起的中国大陆芯片设计商，在全球的市占率从2010年的5%，到2017年已上升到11%，收益也在去年首度超越台湾地区。在全球50大IC设计公司排名中，2017年已有10家中国公司名列其中，相较于2009年仅有1家入列，其快速的成长速度，已经成为中国大陆半导体产业中的重要一环。

　　积极采取企业并购 引发忧虑

　　并购向来为科技公司取得技术的最快途径，对中国大陆而言亦不例外。过去几年，由于更复杂IC的需求，设计研发成本不断上升，创下了全球IC产业并购总额新记录。