更具体的原理如下：
　　场效电晶体用闸极来控制电流的通过与否，以代表 0 或 1 的数码讯号，也是整个结构中最细微、复杂的关键，当闸极可以缩小，电晶体体积也能跟着缩小，一来切换速度得以提升，每个芯片能塞入更多电晶体或缩小芯片体积;再者，当闸极长度愈小，闸极下方电子通道愈窄，之间的转换效率提升、能量的耗损也能降低，收减少耗电量之效，但当闸极太薄，源极与汲极距离愈靠近，电子也可能不小心偷溜过去产生漏电流，加以也有推动力不足的问题，这也是为何制程微缩难度愈来愈高;台积、英特尔与三星群雄间争的你死我活的原因。
　　不过我们把话题再拉到这场数字游戏中，英特尔说三星和台积电灌水，那到底灌水没灌水呢?
　　半导体芯片和系统还原工程与分析厂商 ChipWorks、Techinsights 与半导体分析厂商 Linley Group 都对台积电、三星、英特尔 16/14 纳米做过比较。
　　从 Linley Group 与 Techinsights 实际分析的结果，包含英特尔、台积电与三星在 14/16 纳米实际线宽其实都没达到其所称的制程数字，根据两者的数据，台积电 16 纳米制程实际测量最小线宽是 33 纳米，16 纳米 FinFET Plus 线宽则为 30 纳米，三星第一代 14 纳米是 30 纳米，14 纳米 FinFET 是 20 纳米，英特尔 14 纳米制程在两家机构测量结果分别为 20 纳米跟 24 纳米。

　　英特尔：纳尼?
　　调研 The Linley Group 创办人暨首席分析师 Linley Gwennap，在 2016 年 3 月接受半导体专业期刊 EETimes 采访时，也透露了晶圆代工厂间制程的魔幻数字秘密，Gwennap 指出，传统表示制程节点的测量标准是看闸极长度，但在行销的努力下，节点名称不再与实际闸极长度相符合，不过，差距也不会太大，Gwennap 即言，三星的 14 纳米约略等于英特尔的 20 纳米。Gwennap 认为，台积电与三星目前的制程节点仍落后于英特尔，以三星而言，14 纳米制程称作 17 纳米会较佳，而台积电 16 制程其实差不多是 19 纳米。
　　但美国知名财经博客 The Motley Fool 技术专栏作家 Ashraf Eassa 从电子显微镜图来看，认为英特尔、三星甚至台积电在三者 14/16 纳米制程差距或许不大。Ashraf Eassa 对比英特尔 14 与 22 纳米，以及三星 14 纳米的电子显微镜图，其指出，英特尔 14 纳米侧壁的斜率要比 22 纳米垂直，根据官方的说法，这能使英特尔的散热鳍片(fin)更高更瘦，以提升效能。

　　而三星 14 纳米制程电子显微镜图相较起来，和英特尔 14 纳米制程还比较相近，加以 Ashraf Eassa 用台积电宣称 16 纳米 FinFET Plus 能比三星最佳的 14 纳米技术在相同功率下，效能能比三星提升 10% 来推测，台积电 16 纳米 FinFET Plus 的晶体管结构应与三星相差不远，甚至鳍片(fin)会更加细长。

　　当然，我们并不能说“线宽”就是技术实力，背后还要考虑很多因素。
　　不过专业人士认为，英特尔的10nm的确要厉害一点。不然憋了这么久，岂不是白忙活了。然而，台积电三星已经靠10nm技术赚很多钱了，英特尔现在来“抢钱”还来得及不?