近日，据国外媒体报道，IBM和美光公司近日宣布，美光公司将开始生产一款新的存储芯片—采用3D制程的商用芯片。这一芯片将使用IBM的3D芯片制程硅穿孔芯片制造技术(through-silicon vias; TSVs)。

　　IBM在一份声明中称，IBM的3D芯片制程硅穿孔芯片制造技术能使美光的混合式记忆体立方体(HMC)的传输速度达到当前技术的15倍。

　　IBM将在12月5日于美国华盛顿举行的IEEE国际电子装置会议上展示它的3D芯片制程硅穿孔芯片制造技术(TSV)。

　　美光的混合式记忆体立方体的一部分将在IBM位于纽约的晶圆厂进行生产，使用该公司32纳米high-K金属闸极硅晶技术制造。

　　美光的混合式记忆体立方为DRAM封装的一项突破，它的基本理念是将芯片层层叠起，较当前技术用到更多且速度更快的数据通路。 其最初的原型能以每秒128GB的速率执行，未来技术成熟后速率会更高，而目前的记忆体芯片的速率为12.8GB/s。此外，HMC使用的电力也减少了70%。

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