技术布局：第三代半导体照明材料
　　第三代半导体材料是近年来迅速发展起来的以GaN、SiC和ZnO为代表的新型半导体材料，具有禁带宽度大，击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高及抗辐射能力强的优点，是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”，在半导体照明、新一代移动通信、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景，可望成为支撑信息、能源、交通、国防等发展的重点新材料，正在成为全球半导体产业新的战略高地。
　　据预测，到2020年，第三代半导体技术的应用将催生我国在上述三大领域均出现上万亿元的潜在市场价值，届时将催生巨大市场应用空间。
　　我国政府十分重视第三代半导体材料与器件的研发及产业化，在政府的持续部署支持下，我国材料研发的整体水平与国际上差距不大，如在第三代半导体材料第一个产业化的应用方面--半导体照明已经在关键技术上实现突破，创新应用国际领先;在第三代半导体电子器件应用方面，在移动通讯、光伏逆变、雷达领域已有少量示范应用。