您好,欢迎光临!   请登录 免费注册    
  您的位置:电子变压器资讯网 > 资讯中心 >  综合领域 > 正文
全球半导体业瞬息万变 先进制程加快中国已崛起
[发布时间]:2016年1月5日 [来源]:电子信息产业网 [点击率]:2613
【导读】: 2015年匆匆将过,在这一年中全球半导体业发生了许多故事,哪些值得我们去回顾:预测大修正  年初时众多市场分析公司预测今年半导体业增长在3%-7%,然而时至年底纷纷都调低至持平,或稍有下降。  业...

  2015年匆匆将过,在这一年中全球半导体业发生了许多故事,哪些值得我们去回顾:

  预测大修正
  年初时众多市场分析公司预测今年半导体业增长在3%-7%,然而时至年底纷纷都调低至持平,或稍有下降。
  业界有兴趣探个究竟为什么?三句话:终端弱,美元强以及中国缓。

  Fabless下降
  市场研究机构IC Insights的最新预测,2015年全球芯片供货商排行榜上,将出现25年以来第二次芯片制造商IDM表现胜过无晶圆厂fabless的情形。
  根据IC Insight于12月的数据,今年全球Top 10 fabless的总营收预料将下滑5%至589.19亿美元,大部分都是受到高通的fabless营收下降20%的影响,它由2014年的200亿美元至今年的160亿美元。需要说明高通的营收有两部分组成,除了fabless之外,还有占其营收1/3强的授权费用所得。IC Insights指出,高通营收骤降,表面上看是因为三星决定改采用自家的Exynos系列处理器、不再向高通下订单,实际上反映一个趋势,那些系统制造商如苹果,三星,华为等为了增强产品的差异化,纷纷都自行研发处理器芯片。
  另外,fabless排名第三的联发科今年营收也料将萎缩8%至65.04亿美元。
  并预测2015年全球fabless销售额将下降5%,为799亿美元,相比去年为841亿美元。

  兼并再次加剧
  根据研究公司Dealogic统计,2015年到12月中旬为止半导体业并购交易规模已突破1,200亿美元,创下历年来的最高纪录。交易金额已达到去年全年的4倍以上。
  自1972以来全球前十大半导体公司的市场份额一直保持在一定水平内,但今年大公司之间的强强联合以及近似疯狂的并购,打破了这一规律。2015年,全球前十大半导体公司的市场份额比前42年的最高点上升了3%。有观点称,按照这样的节奏下去,到2020年全球半导体公司就会“大一统”了,大家都为一家公司工作。这种说法显然有些夸张,但不可否认的是,今年的半导体企业并购不同寻常,可能绝非是终点。

  代工竞争更加激烈
  总体上2015年对于代工业是一个挑战之年,可能会有适中的增长。基于先进制程的代工的客户群进一步兼并减少,以及由于成品率问题全球代工在16/14nm finfet工艺上可能会停留更久。
  从先进制程技术,大部分代工制造商都进入一个新阶段,如格罗方德,三星及台积电都己能由传统的平面工艺,28nm,或20nm过渡到16nm/14nm的finFET工艺,而英特尔己经开始进入14nm的第二代finFET工艺量产。代工制造商期望在2016年底能开始10nm的试产。
  尽管业界已经采用finFET工艺,但是先进工艺制程的平面CMOS市场仍相当有活力,实际上28nm仍是目前众多应用市场的佳品。2015年就单个28nm节点可能产出10.0B美元的代工销售额。
  一个不争的事实,无论是芯片制造商,或是它的代工伙伴,只要能进入苹果的供应链就一定兴旺,因为苹果的订单量大有保障。 未来非常可能首先是在先进制程代工中开始兼并,同时另一方面代工制造商会开始兼并200mm的产能。
  2015年全球纯代工销售额可能增长不到10%,而去年为421亿美元。

  先进制程步伐不停
  尽管全球半导体业增长的步伐减缓,但是从先进制程方面没有停步,反而加快。英特尔,三星及台积电三足鼎立,并领先于全球的态势越来越突出。
  它们在突破16nm/14nm制程的同时,英特尔,三星与台积电同样分别开发10nm finFET制程。并期望在2016年底能开始10nm的试产。
  Gartner的Wang说,三星与台积电都在积极地向10nm迈进, 但是看起来在关于10nm的前景方面在台积电和三星之间有不同的意见。台积电的观点认为10nm不会是个长寿命节点,因为10nm与16nm/14nm相比从速度上才高出25%,不占太大的优势。所以台积电认为未来7nm可能更持久。而三星有不同的看法,认为与14nm相比,10nm一定会更加成功。
  英特尔,三星及台积电三家在先进工艺制程方面,都在暗中使全力较劲。由于都是基于finFET工艺,买的几乎是同样的设备,分析它们几乎处于同一水平上,至少不存在那家有明显的优势。
  应用材料公司在今年的Semicon Taiwan强调,半导体产业的重大技术转折点,必须依靠材料创新来实现。特别是在目前下一代EUV光刻技术尚未到位,预计要到7纳米后才会上线之际,现阶段必须透过材料创新与制程进展来实现目标。在晶片上做制程就像“造桥铺路”一样,在确保电路够稳固可靠后,必须再加上材料工程进行调整,才能为客户提供实现技术转折点所需的差异化产品与服务。3D NAND预计将在2018年达到100万片的月产能,提高85%,并随着层数从36层增加到48层,带来50-70%的市场规模成长。

[上一页] [1] [2] [下一页]

投稿箱:
   电子变压器、电感器、磁性材料等磁电元件相关的行业、企业新闻稿件需要发表,或进行资讯合作,欢迎联系本网编辑部QQ: , 邮箱:info%ett-cn.com (%替换成@)。
第一时间获取电子变压器行业资讯,请在微信公众账号中搜索“电子变压器资讯”或者“dzbyqzx”,或用手机扫描左方二维码,即可获得电子变压器资讯网每日精华内容推送和最优搜索体验,并参与活动!
温馨提示:回复“1”获取最新资讯。