从FinFET技术来说，同样性能情况下，功耗比过去降低50%，这意味着未来提升功耗是很重要的问题。

　　中国基础不好，制造业应该怎么发展?郝跃博士认为，如果还是沿用INTEL、TSMC、三星的技术路线走，中国没什么希望。"我们去TSMC考察过，我们追赶希望不大。我们在制造业工艺方面出路不多，我还是给国家进言，应该考虑新的技术路线。如果跟随别人的脚步，确实没多大希望，包括光刻机，和三大厂商基本上差距不是一点。"

　　郝跃博士认为，未来中国半导体业应该在新材料方面不断发展。"所以我们在材料方面可以有所突破，受TSMC的启发，选择型外延技术，TSMC已经作为主流。TSMC现在采用的材料虽然还是硅，但是对SiGe来做沟道材料。TSMC的工艺是用选择型外延技术生长Sige在沟道材料上去。成本没有多大增加。"

　　据介绍，IBM去年宣布投30亿美金在7纳米技术，以及量子计算、神经突触、碳纳米管等新技术上面。

　　特别是IBM正在研发的神经元类人脑芯片，集成了54亿个硅晶体管，2.56亿个突触，晶体管数目是54亿个，但是运行功耗是65毫瓦。

　　郝跃博士认为，未来敢于接受新技术的挑战，要发展硅基和其他功率器件的优势，材料和工艺必须要紧密结合。