Research观察2015年两大韩国半导体业者资本支出规划，三星电子（Samsung Electronics）将创新高纪录，达150亿美元水平，SK海力士（SK Hynix）则将与2014年持平，维持在51亿美元。2015年三星半导体事业资本支出将连续6年居全球之冠，其中，含晶圆代工在内的系统IC资本支出将自2014年29亿美元增加至近40亿美元，除启用韩国华城厂第17产线外，2015年将持续在美国奥斯丁等厂房建构14纳米先进制程产能，以和台积电 及英特尔（Intel）展开16/14纳米以下先进微缩制程竞赛。
　　2015年三星与SK海力士于DRAM皆有扩产计划，其DRAM资本支出分别将 为64亿美元与38亿美元，三星主要用于扩充韩国华城厂第17产线DRAM产能，SK海力士则将重点放在2015年下半启用韩国京畿道利川市M14新产 线，将量产20纳米级DRAM。2015年两家韩厂合计资本支出占全球DRAM厂总资本支出比重达75%。
　　在NAND Flash资本支出方面，2015年三星规划47亿美元，主要用于建构大陆地区西安厂3D NAND Flash产能，其于3D NAND Flash进展较美光（Micron）、东芝（Toshiba）等业者快。SK海力士NAND Flash资本支出为13亿美元，主要用于10纳米级TLC（Triple Level Cell） NAND Flash研发与产能布建，2015年两家韩厂合计资本支出占全球NAND Flash厂总资本支出比重为64%。
　　三星目前在韩国，以京畿道器兴厂与华城厂为其主要生产据点，2015年三星将在京畿道平泽市兴建半导体园区，其规划投资金额将达到15.6兆韩元（约153亿美元），三星计划 2017年下半启用平泽半导体园区，将涵盖存储器与系统IC产线，由于SK海力士也将启用利川厂M14产线，将使得京畿道于三星与SK海力士的半导体生产 上扮演更重要的地位。