本设计采用了一阶温度补偿带隙基准电压源，图4所示为带隙基准电压源的核心电路，这里采用了典型的一阶温度补偿电流模结构。其中M1，M2和M3宽长比相同，R1=R2，A0为误差放大器，误差放大器的同相端接Va端，反相端接Vb端。为了保证电路的稳定性，必须保证电路中由M1，Q1和R1组成的正反馈网络的反馈系数小于M2，R2，Q0和R0组成的负反馈网络的反馈系数，即要求：
          

运算放大器A0使Va，Vb两点电压相等，忽略电阻的温度系数，电流I0为PTAT电流，I1为CTAT电流。通过选择，可以得到-40～+85℃范围内温度系数小于4．76ppm／℃。

3 仿真验证

该电路采用SMIC 0．25μm CMOS工艺实现，输入电源电压为2．5 V，输出电压为1．2 V，作为芯片模拟部分的电源。LDO的环路稳定性采用Spectre stb仿真，结果如图5所示，负载电流从1 mA变化到100 mA，整个系统相位裕度均在40°以上，系统稳定。图6为负载电流从1 mA到100 mA转换时，输出电压和输出电流瞬态响应曲线。从图中可以看出，瞬态响应过冲小于20 mV，无振铃现象产生。图6为仿真的电源电压抑制比(PSRR)。低频时PSRR好于75 dB。整个LDO包括基准电压源共消耗静态电流390 μA。

                          图7 LDO电源抑制比方真图

4 结语

本文设计了一种全集成型LDO线性稳压器，采用一种简单的频率补偿电路，通过输出反馈电路引入零点，抵消了LDO产生第二个极点，获得较好的稳定性。此方法结构简单、不损失环路开环增益、带宽高，而且所需要的补偿电容小，节省芯片面积和输出引脚。