据媒体报道，具有自主知识产权的非穿通型高压大电流绝缘栅双极晶体管芯片（IGBT）系列产品，日前通过由中国电器工业协会电力电子分会、清华大学、浙江大学等单位组成的专家组的鉴定。专家组认为，产品性能达到国际同类产品的先进水平。

高压大电流IGBT芯片是广泛应用于电力传动和控制系统的新型电力半导体器件。在国际上，这种大功率半导体器件的研制和生产已经相对成熟，但在我国仍处于空白，市场被国外公司垄断。近几年，国家给予了高度重视，并在不同的领域立项支持。

此次通过鉴定的产品采用新型背面结构，具有正温度系数、低通态损耗、高开关速度的优良特性，可有效减少电路的损耗，提高系统的工作效率，避免快速关断过程中产生的电路振荡，极大地提高了系统的可靠性。

据介绍，该产品可广泛应用于国防、医学、新能源、智能电网、互联网等领域，并大大减少对国外产品的依赖。