意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）宣布，其28纳米FD-SOI技术平台在测试中取得又一项重大阶段性成功。继去年12月

公司宣布系统级芯片（SoC）集成电路成功投产后，意法半导体又宣布其法国Crolles工厂生产的应用处理器引擎芯片工作频率达

到3GHz，在指定的工作频率下新产品能效高于其它现有技术。

此前，多家企业相继推出了FD-SOI处理器。根据摩尔定律，芯片上的晶体管数量约每两年增加一倍，过去50年来半导体工业始终

遵循摩尔定律，连续缩减晶体管的尺寸。晶体管本质上是微型通断开关。随着晶体管尺寸缩减导致芯片密度提高，消费电子产品

增加了很多令人兴奋的功能，且产品价格降至消费者预期水平。同时，这些新功能的运行时钟速度非常快，用户通过键盘、触摸

屏、语音发布命令，手机可即刻做出响应。

现在，当这些晶体管缩减至纳米级别时，在大小相当于头发直径的面积上，可容纳约450个晶体管 ，物理学向采用平面CMOS技术

制造的体效应晶片的传统高速和低功耗优势发出挑战。在电路小型化的发展过程中，FD-SOI技术是一个重大的技术突破，应用处

理器引擎运行速度达到3GHz，预示FD-SOI技术将被应用于便携设备、数码相机、游戏机及各种应用ASIC。在下一代制程中，只有

FD-SOI被证明能够满足移动工业的最高性能和最低功耗要求，这两项要求对于提供令人震撼的图形和多媒体功能且不影响电池寿

命至关重要。
 
意法半导体执行副总裁、数字产品部总经理兼首席技术制造官Jean-Marc Chery表示：“如我们当初预想，测试证明FD-SOI是一

项简易、快速、高能效的技术，我们完全预期到这项技术的工作速度能够达到3GHz，而且设计方法与体效应CMOS相同。受益于全

耗尽型沟道和反偏压，低功耗要求也符合我们的预期。”
 
意法半导体发现从28纳米体效应CMOS向28纳米FD-SOI移植代码库和物理IP十分简易，因为不存在 MOS历史效应，使用传统CAD工

具和方法设计FD-SOI数字系统级芯片的过程与体效应完全相同，从而进一步提高了研发设计的简易性。FD-SOI能够制造高能效的

器件，必要时，动态体偏压让器件能够立即进入高性能模式，而在其余时间保持在低泄漏电流模式，这对于应用软件、操作系统

和高速缓存系统均是完全透明的。与体效应CMOS相比，FD-SOI性能更高，工作电压更低，能效更高。