为大举插旗高整合度LED驱动IC方案市场，王永斌强调，恩智浦已导入ABCD3高压制程，预计2013年启动量产，该制程不仅更适合整合高压MOSFET，并可减少漏电流，同时省却LED照明应用不必要的功能，能量产出更高性价比的LED驱动IC产品。

除强化高压制程技术外，由于现阶段仅有意法半导体、东芝(Toshiba)及??英飞凌等少数高压MOSFET制造商供货，因此为确保高整合方案能顺利开发，恩智浦也已做好万全的备料准备。

张伟超透露，恩智浦预估2012年下半年LED照明市场规模将急速扩张，因此已提早向高压MOSFET业者采购产品，现今能保证客户在六至八周内即可取得高整合度LED照明驱动IC方案，未来更将缩短至三至四周即可取货。此外，恩智浦亦有计画投资高压MOSFET厂商，以掌握更稳定的供货来源。

同样拥有先进功率半导体制程技术的英飞凌，除早已发动高整合度LED照明驱动IC方案攻势之外，更大举透过高弹性的LED照明驱动IC产品策略，以因应不同客户群的产品开发需求。

谢东哲指出，该公司高整合度功率元件早已量产多年，并应用于不同领域的电源产品中，如一般照明等市场，英飞凌已规画导入新一代功率半导体制程技术，以带给客户更高的性价比，并简化设计流程，加速终端产品进入市场的速度，因应照明产品多元的需求。

不过，谢东哲认为，高整合度LED照明驱动IC方案需求主要来自特定领域的专用型与客制型专案，且LED照明市场才刚起步，对于功能与性能的要求变化多端，无法使用单一高压MOSFET因应所有照明应用领域的要求，因此透过高压制程整合MOSFET的LED照明驱动IC方案必须更有弹性，以迎合不同照明市场所需。

英飞凌除拥有LED照明驱动IC产品线之外，同时具备开发高压MOSFET的技术能力，针对高压MOSFET缺货问题。谢东哲指出，2008年金融海啸，使得2009年电源客户采购高压MOSFET过急而引爆缺货危机，故于2012年LED驱动IC业者早已有库存高压MOSFET的准备，以避免重蹈覆辙，因此虽然该公司目前无法因应急单，但可确保高压MOSFET长期供应无虞。

现阶段英飞凌的高压MOSFET产品策略分为矽智财(IP)授权与供应产品，前者可让客户自行采用授权技术开发高压MOSFET，可用于生产高整合度LED照明驱动IC。

有鉴于LED照明驱动IC占灯泡成本比重大幅攀升，半导体厂商正面临极大的成本考验，因此透过产品和技术策略降低LED照明驱动IC单价，同时确保成本续降以避免牺牲过多毛利率，已为当务之急。预期在晶片商戮力降价之下，LED照明驱动IC占灯泡的比重将会直落，此由美国能源署(DOE)预估2020年前A19规格灯泡的成本结构变化，也可观察出发展态势。相对而言，无法跟上降价脚步的晶片业者，则恐将面临市占萎缩的命运，进而牵动全球LED照明驱动IC供应商的势力板块挪移。