您好，欢迎光临！   请登录 免费注册    
  您的位置：电子变压器资讯网 > 资讯中心 >  通讯网络 > 正文
IR新型40V同步整流MOSFET优化电信和数据通信应用
[发布时间]：2008年11月10日 [来源]： [点击率]：2240
【导读】：     国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)日前推出IRF7842 40V N沟道HEXFET功率MOSFET，优化了电信系统中...
    国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)日前推出IRF7842 40V N沟道HEXFET功率MOSFET，优化了电信系统中的隔离式直流-直流转换器。
    IRF7842的额定电压为40V，若用于电信及数据系统的副边同步整流电路，则有助于增强系统的可靠性。这些系统的输入电压范围较宽，一般在36V到75V之间，因而会在副边产生5V至12V的电压波动。由于额定30V器件不能提供所需的额定富裕电压，所以需采用额定40V MOSFET。全新40V器件使IR针对电信系统的副边电源管理开关器件阵营更加充实。
    当IRF7842用于配备IR2085S原边脉宽调制(PWM)集成电路的隔离式直流-直流总线转换器中的副边同步整流时，可在150W全负载条件下效率达到95.2%；在相同直流-直流总线转换器中，IRF7842的效率要比业界标准的40V器件高出0.5%。
投稿箱：
   电子变压器、电感器、磁性材料等磁电元件相关的行业、企业新闻稿件需要发表，或进行资讯合作，欢迎联系本网编辑部QQ： ， 邮箱：info%ett-cn.com (%替换成@)。
第一时间获取电子变压器行业资讯，请在微信公众账号中搜索“电子变压器资讯”或者“dzbyqzx”，或用手机扫描左方二维码，即可获得电子变压器资讯网每日精华内容推送和最优搜索体验，并参与活动！
温馨提示：回复“1”获取最新资讯。