栅极电流：   (8)
栅极电阻R3电流：i1(t)≈0                                          (9)
栅极串联电阻R1电流：                (10)
电路瞬时功率：
               (11)
上升时间：tr=2.2τ=2.2R1Ciss                                         (12)
忽略三极管Q1饱和导通管压降0.2V，MOSFET管关断过程的等效电路如图4。
关断过程即可看做零输入响应过程，栅极电压U1，主要元件依然是R1，Ciss（由于R3>>R1,忽略电阻R3），基本是开通的逆过程，因此，变压器输出电流有效值[4]：
     (13)

式中，I—变压器输出电流有效值，A；f—驱动信号频率，Hz
变压器功率：                        (14)
通过分析，由式(12)可知，减少上升时间tr的办法是减少R1，但式(13)(14)表明，代价是增大了输出电流有效值和变压器功率；提高频率和驱动电压将导致电流有效值和变压器功率增加。
线路分布参数包括变压器漏感，内阻r，以及导线引起的寄生电感等，随着工作频率提高，分布参数影响逐渐明显。相对于内阻r，分布电感对动特性影响更为显著，考虑变压器漏感和线路杂散电感Ls后MOSFET管开通过程的等效电路如图5（忽略电阻R3）。
系统时域方程：
                (15)
传递函数：  (16)
特征方程：LsCiss·S?2+R1Ciss·s+1=0                          (17)
特征方程根：（极点）(18)
由式(18)，对于阶跃输入[5]
1)时，系统临界振荡。此时，
Ls=0.25CissR12                                   (19)
2)时，系统振荡收敛。此时，
Ls>0.25CissR12                                (20)
此时，自然频率（无阻尼震荡频率）：
                                 (21)