强化需求牵引，加快构建碳化硅产业生态
　　近年来，我国也积极展开对碳化硅产业的开发。6月23日，三安光电在湖南建设的半导体基地一期项目正式投产。项目达产后可形成月产3万片6英寸碳化硅晶圆的生产能力。三安光电股份有限公司副董事长、总经理林科闯表示，湖南项目是三安光电向第三代半导体领域扩张的重要一步。项目总投资160亿元，将打造国内首条、全球第三条碳化硅垂直整合产业链。5月31日，山东天岳递交了科创板上市招股书，有望成为第一个科创板上市的碳化硅衬底材料企业。上市计划募集资金20亿元，用于碳化硅半导体材料项目的建设。
　　碳化硅产业链主要包含单晶材料、外延材料、器件、模块和应用几个环节。这几个产业环节我国均有所布局。SiC衬底材料方面，天科合达、山东天岳、同光晶体等均能供应3英寸~6英寸的单晶衬底。SiC外延片方面，厦门瀚天天成与东莞天域生产3英寸~6英寸SiC外延片。器件方面，除三安光电外，华润微的6英寸商用SiC产线也已经正式量产。
　　不过，中国工程院院士丁荣军指出：“我国功率半导体产业经过长期自主创新，以晶闸管为代表的第一代、第二代器件达到了世界先进水平，IGBT主流器件的研发与产业化取得了不少突破，但以碳化硅、氮化镓等为代表的第三代宽禁带半导体技术研发起步较晚，技术发展趋势认识模糊，人财物资源投入不足，仍落后于世界顶尖水平。”
　　丁荣军建议应从几个方面重点突破：一是通过资源整合，打造功率半导体国家级创新平台，联合政、产、学、研、用各环节既有资源，围绕全产业链需求和痛点开展协同创新和公共服务，构建自主生态和协同创新体系。二是功率半导体作为技术密集、资金密集和人才密集型行业，前期投入大，回报周期长，投资风险大，需要政府给予相应的政策倾斜，支持并带动社会各界持续投入资源，推动产业发展。三是国家出台鼓励自主创新的支持政策，加快功率半导体器件技术创新和国产化进程，营造鼓励科技创新、支持自主研发的良好环境。四是强化需求牵引，政府、行业、用户应持续加大自主功率半导体器件的推广力度，大力支持自主功率半导体器件产品的采购应用。

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