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Cree XT-E LED新技术获重大进展:突破LED照明普及瓶颈
[发布时间]:2012年2月13日 [来源]:电子工程专辑 [点击率]:1331
【导读】: Cree Inc.稍早前宣布,其发光二极管(LED)技术已取得重大突破。据称该公司新推出的LED产品将可提供比传统LED高出两倍的每美元流明性能。据Cree表示,该公司新推出的XT-E LED和稍...

Cree Inc.稍早前宣布,其发光二极管(LED)技术已取得重大突破。据称该公司新推出的LED产品将可提供比传统LED高出两倍的每美元流明性能。

据Cree表示,该公司新推出的XT-E LED和稍早前问世的XB-D LED ,以全新的碳化硅(SiC)技术平台为基础,解决了大规模部署LED照明应用的最大障碍─ ─初始投入成本。

Cree新款XT-E LED的流明每瓦(lumens per watt, LPW)性能比该公司现有的Xlamp XP-E LED 高出一倍以上,在温度85℃、350mA电流条件下可达148LPW。XT-E LED尺寸仅3.45mm x 3.45mm,可用在几乎所有种类的照明应用中。

XT-E白光LED是Cree公司XP-E高效率LED的下一代产品,因为此用该元件开发照明系统的客户,仅需要3,000小时的XT-E LED LM-80测试资料,便能符合Energy Star标准,而非常规的6,000小时测试,Cree表示。

Cree的LED元件资深市场主管Mike Watson在一份声明中表示,拥有极佳价格/性能比的Cree XB-D LED改变了这个产业的游戏规则。而随着XT-E LED问世,Cree进一步突破了照明领域的障碍,以创新产品加速客户采用LED的速度。

Cree表示,在350mA、85℃条件下,XT-E白光LED可提供148流明和148LPW的冷白光(6000 K)性能,或是114流明和114LPW的暖白光(3000 K)性能。新元件现可提供样品,并已开始量产。

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