功率器件包括功率IC和功率分立器件，功率分立器件则主要包括可控硅、晶闸管、MOSFET、IGBT等。

　　深圳宝铭微电子有限公司市场部经理黎忠瑾也表示，中低端功率半导体国产化并不存在什么问题。在他看来，国内也有出现一些领先的高端技术产品，但市场接受度需要一定的时间，树立品牌是一个循序渐进的过程，这也是我国高端产品至今无法实现国产化的因素之一。

　　有业内人士用“鸿沟”来形容中国功率半导体与国际品牌的差距。但南京银茂微电子制造有限公司销售部陈先生表示，“鸿沟”倒是不至于，但差距还是存在的，目前最核心的差距还是在芯片上，但如果单从模块上看，国内的整个工艺已经相当成熟了。

　　国产车企支持功率器件国产化

　　2017-2020年,新能源汽车所带动的IGBT市场规模将达到1034亿元,充电桩所带动的IGBT市场规模将达到200亿元，合计超1200亿的市场。IGBT占新能源汽车整车成本的近10%，但我国IGBT 自给率仍旧很低，高达 90%依赖进口。

　　中国车企非常清楚，无法掌握IGBT技术就如被人捏住喉咙，因此很多车企正在与功率器件企业合作推动IGBT的国产化。比如2015年比亚迪与上海先进的合作就推动了IGBT的国产化。

　　在接受半导体器件应用网记者的采访时，北京世纪金光半导体有限公司销售经理那永鑫就表示：“目前国外很多功率半导体企业的高端产品对国内进行封锁，即使可以买到价格也极高，国内大部分行业都希望功率半导体能够国产化。”

　　据悉，世纪金光就与国内新能源汽车整车制造商合作建立联合实验室。对此，那永鑫认为，同为国内企业，车企与功率半导体企业的配合度会更高，另外，使用自主产品也可大大降低成本，做到双赢，这也是在推动国产第三代半导体在新能源汽车上的应用。

　　银茂微电子的陈先生也表示，他们公司的功率半导体主要应用在新能源汽车的发动机驱动上，目前还处于积累经验阶段，让产品做得更稳定。从当前来看，新能源车企对功率器件的国产化认可度较高，也很积极地跟厂商做一些沟通。因此在新能源汽车的契机上实现功率半导体国产化的希望很大。

　　不过，尽管许多业内人士对功率半导体国产化持乐观态度，但记者在采访过程中也听到不一样的声音。广东先捷电子股份有限公司董事长郑烽认为，现阶段难以实现国产化。我国在中高端领域的完整产业链才成型不久，整体的产业规模较小，由于技术门槛高，产业规模发展速度也远低于低端领域。以IGBT制造为例，国内年复合增长率约为15%，尽管高于全球约10%的增长速度，具备广阔的国产替代空间，但国内产业规模还是跟不上市场需求。

　　同时他认为，我国要在新能源汽车的契机上实现功率半导体国产化，仅从高端入手是不行的，应该“立足低端，发展中端，超越高端”。目前，我国半导体领域的低端产品已经有相当的规模和市场，具备在低端领域全面实现国产化的条件;中端产品领域的发展是最重要也是最艰难的，在加大技术投入，培养相关技术人才的同时也要不断完善产业链，做好行业细分发展;而在高端领域，尽管产业规模仍是弱势，但高端技术水平已经达到了世界先进行列，因此应该在新材料新技术领域不断创新发展，争取在高端技术领域实现“弯道超车”。

　　中国IGBT奋起直追

　　尽管如此，郑烽也坚信我国在战略布局上存在一定的优势，比如首条8英寸IGBT芯片线在2014年就已建成，打破了国外技术垄断。另外，我国车载功率半导体还有后发优势，从这一角度看，国内厂商可以借鉴国外先进的技术思路，少走弯路，追赶速度远超大品牌摸索发展的速度。

　　从全球来看，中国新能源汽车市场的发展速度遥遥领先，这为未来中国IGBT等功率器件的技术成熟和快速发展提供了决定性帮助。

　　2011到2016年，我国新能源汽车产销量从不足5000辆发展到51万辆，已占全球新能源产销量50%。2016年7月份，中国汽车技术研究中心得出的统计数据显示，中国已录得新能源汽车整车制造企业超过200家。