3DNAND是相对于平面型NAND而言的。存储器是典型的遵守“MoreMoore”的产品,永远追求存储密度的提升以及成本的下降。这一点在摩尔定律时代,可以不断由最先进的工艺制程来实现。但是到了随着制程节点到了1Xnm级别,晶体管的尺寸缩小会使得电子容易溢出,从而会带来闪存的出错率增高,以及耐久性下降的问题。因此3DNAND应运而生。

　　3DNAND驱动半导体市场增长
　　SEMI公布2016年全球半导体增长的三大动能是代工,3DNAND及10nm制程。并预测2016年包括新设备、二手或者in-house设备在内的前段晶圆厂设备支出预期将增加3.7%达372亿美元,而2017年将再成长13%,达421亿美元。其中,最大的增长动力来自于3DNAND,2014年支出为18亿美元,2015年倍增至36亿美元,成长幅度高达101%。而2016年支出将再度增加50%,至56亿美元以上。

 　　（小编整理。敬请关注微信号：dzbyqzx）