近年来，功率半导体器件，无论是MOSFET还是IGPT，其发展十分迅速。在这些器件不断进步的指标中，突出的表现在于开关频率的提高和等效内阻的下降。另外，一些新的半导体功率器件也惊艳登场，例如以碳化硅 (SiC)和氮化镓 (GaN)技术发展出的新一代功率半导体器件。这两种功率器件的开关频率都得到大幅度提升。在对大功率的负载进行驱动的时候，这些功率器件的开关频率甚至可以达到MHz的开关频率，而且开关损耗大大降低。这些新型功率半导体器件的使用，使得在大功率驱动的应用中，可以通过PWM这样的电流调制技术，按照电机控制器的要求，产生任意所需要的电流波形。因为产生控制信号所需要的运算频率应当大大高于功率半导体器件的PWM的斩波频率，这也就对电机驱动控制器产生了新的挑战：必须根据电机、负载和环境的状态及时地产生电机高性能驱动所要求的控制信号。

　　峰岹科技首席技术官，国家“千人计划”专家毕超博士指出，目前的电机驱动控制芯片已经很难满足现代电机驱动控制的新要求。因为基于软件编程的CPU所形成的电机驱动芯片，由于其软件的串行运行和CPU频率的限制，使得许多高端的驱动模式无法实现;而基于ASIC技术所形成的控制芯片，又无法应付多变的电机和负载参数、以及对驱动要求越来越复杂的状况。毕超博士进一步指出，随着工业4.0和中国制造2025规划的展开，对电机驱动的要求会越来越高，对电机驱动控制芯片提出的挑战也越来越多。毕超博士也介绍，为了解决目前以及今后一段时间内电机驱动领域不断出现的新挑战，峰岹科技提出的一个技术思路是研发“多核”多功能的电机驱动控制芯片。在这种芯片里，电机高性能驱动模式中的标准算法和实时控制用一个“核”处理，并且用ASIC的方式对算法进行固化，而驱动模式中需要根据电机和应用的要求进行调节的部分，以及具体的电机参数和负载参数需要处理的部分，则由其他“核”进行处理。几个“核”之间的运算相互支持，从而大大加快驱动芯片的控制模式运算速度，而且产品的可靠性也得到加强。目前峰岹科技已经按照这个思路开发出“双核”电机驱动MCU： FU68系列。其实时处理的指令周期可以高达2T，芯片内部集成有多个高速ADC、多种Timer，并且内置高压LDO。目前该系列芯片已经进入市场，并且在很大程度上满足高性能驱动的许多苛刻要求，包括被用于极高速情况下的SVPWM和FOC驱动模式等，比如10万rpm的PMSM，市场反映良好。公司还在开发新的芯片以满足越来越苛刻的电机驱动新要求。
　　“中国制造2025”和“工业4.0”规划深刻影响着中国和全球工业发展趋势。两个规划虽对工业界掀起诸多挑战却也带来不少商机。由于中国工业在全球市场所扮演的重要角色，中国企业的积极参与对这两个规划的实施和完善非常重要。峰岹科技在电机驱动芯片上的努力只是国内众多高科技公司积极参与这两个规划的一个缩影。面对快速发展和变化的全球市场，中国企业需要加大技术研发投入，提升技术研发实力，在关键科技上有所作为。“工业4.0”和“中国制造2025”，对中国企业提出了新挑战和新要求，也带来了新机会。