石墨烯发光技术：发现石墨烯发光是个新的突破，另外可在石墨烯衬底上生长第三代半导体。
　　石墨烯发光灯泡：哥伦比亚大学和首尔大学等单位合作研究，将石墨烯微细丝附加在金属电极上，两边为SiO2，悬挂在硅衬底的方式。通电流加热至超过2500℃，从而发明亮的光，石墨烯的温度不会传给衬底。利用发光长细丝与硅基板的反弹干涉，可调整所发射的光谱，号称是世界上最薄灯泡，并可应用于光通信。该技术如产业化将是照明领域的颠覆性创新。
　　石墨烯LED：清华大学近期发布采用二种石墨烯，即氧化石墨烯(GO)和还原石墨烯(rGO)混合组成LED，随着外加电压的变化，可改变发光波长，这二种界面存在一系列离散的能级，可在发光、传感器、柔性显示上应用。
　　SiC+石墨烯+GaN薄膜：在SiC圆片上将硅汽化，并将留下的石墨烯薄膜稳妥地转移至硅基板上，在此石墨烯衬底上采用直接凡德瓦外延法，生长高质量单晶GaN薄膜，将大幅度降低半导体组件成本。IBM近期宣称，已掌握这些技术，将在5年内投资30亿美元，发展在石墨烯衬底上生长高频晶体管、光探测器、生物传感器以及“后Si时代”组件，首先大幅度降低GaN蓝光成本。
　　玻璃基板+石墨烯+溅射GaN：东京大学藤网洋研究团队发表在玻璃基板上转印石墨烯多层膜，并在膜上用脉冲溅射法(PSD)形成GaN(AlN+n-GaN+GaN与InGaN多层结构多量子阱MQWs+P-GaN)。其优点：生长GaN品质大幅度提升，可制作RGB三原色组合LED，大幅度降低成本。还可制作GaN构成的高迁移晶体管(HEMT)，该技术路线如果获得产业化，将是颠覆性的创新。
　　Si+石墨烯+分子束外延GaN：西班牙Graphenea公司宣布，与日本立命馆大学、麻省理工大学、首尔大学、韩国东国大学合作用普通化学气相沉积法(CVD)在铜箔上形成石墨烯，直接转印在硅基板上，然后在石墨烯上采用射频等离子辅助分子束外延法(RF-MBE)生长GaN晶体，具有六角形对称性是沿C轴向生长，是从Si(100)面上生长的GaN晶体，实现了最高品质。
　　上述三种石墨烯衬底上生长高质量GaN技术，均不采用MOCVD设备，生长效率高、成本低、质量高，除了应用于发光、激光之外，均可发展第三代宽禁带半导体，这将是颠覆性的创新技术。

　　纳米发光技术
　　纳米发光的结构形式是多样的，这里介绍几种典型的纳米发光结构形态。
　　纳米线型LED：波尔研究所研究纳米线型LED，其纳米线的核是GaN材料，长度约2微米，直径约10～500纳米，外围材料是InGaN。二极管中的光是由两种材料间的机械张力决定的，这种纳米线是可以使用更少的能量提供更高的亮度，更节能，可用于手机、电视以及很多形式的灯光，号称将改变未来照明世界。
　　超薄非结晶电介质膜发光材料：美国德州农机大学开发一种发光芯片，采用在硅晶圆上进行室温溅射沉积方法制成电介质膜，其中有纳米晶层，可提升发光密度，在工艺中可与硅IC兼容，工艺简单，是新的纳米发光材料。
　　3D打印“光纸”：美国德州Rohinni公司利用3D打印光纸(Light paper)，将油墨与微型LED混合印在半导体层上，并夹在另外两层材料之间，微型LED只有红血球大小，当电子通过微型LED时点亮光纸，号称世界最薄LED灯。
　　最薄LED：华盛顿大学研究人员宣布，已开发全球最薄LED，厚度相当于3个原子，这种可折叠的LED，未来用于便携式、可灵活穿戴的设备。
　　超高速LED：美国杜克大学研究通过金属纳米立方体和黄金膜之间添加荧光分子，实现高速LED，制造75个银纳米立方体，并困住其内的光，增加光的强度，通过“珀塞尔效应”强化加快，荧光分子发射光子速度是传统LED的1000倍，还可作为量子密码系统的单光子源，支持安全光通信。
　　接近太阳光的LED：意大利InSubria大学采用纳米颗粒面板对白光LED光源进行散射，得到与太阳光接近的灯光，利用雷利散射原理，使白光LED阵列扩散成“蓝天”效果，或微黄色斑点模拟太阳光，已有产品，效果好，可极大提升光色品质。
　　超清可弯曲显示屏技术：采用纳米技术制作相变材料PCM，可处二种状态所谓GST，晶体态和玻璃态，这种GST在电流脉冲下，晶体玻璃态循环可超过100万次/秒。三层材料结构：即导电玻璃+GST+导电玻璃，每层都仅有几个纳米厚，该技术可能生产出超薄、超高速、低能耗、高清、可折叠的彩色显示屏。

　　其他发光材料
　　发白光的激光器：美国亚利桑那大学研制一种可发R、G、B的激光器，混合成为白光，也可用于光通信，比普通LED快10～100倍。