R3、IGBT的门极之前，加一小电阻（一般为10～20Ω），用以改善IGBT的开关波形，降低高频噪声。DSP的PWM输出经过上述TLP250光耦电路后的波形输出见图8。

     
  
       图8 Buck单元PWM经过光耦后的波形输出(×10)

可以看出，推挽后的电容C2为加速开通和关断作用；与C3并联稳压二极管产生恒定的5.1V反压，当PWM输出高电平，IGBT的CE两端电压差为8～9V，使IGBT导通；当PWM输出低电平，IGBT的E极的5.1V反压可以保证IGBT可靠关断。

　② 三相逆变桥SPWM驱动的设计

TLP250光耦驱动能力比较大（Io=±1.5A）可以直接驱动中功率IGBT，本文已在上节作了详细说明，在此不再赘述，具体驱动电路如图9所示。

              图9 TLP250光耦直接驱动IGBT

系统启动后，设置输出调制正弦波频率为50Hz（±0.01Hz），死区时间4.0μs时的SPWM经过74HC244N缓冲驱动后波形如图10所示，死区时间如图11所示，以上桥臂1（PWM1）和下桥臂4（PWM2）为例，上下对称，其中CH1通道观测PWM1，CH2通道观测PWM2。

      
 
     图10 EVA事件管理器输出的SPWM波经过光耦驱动后的SPWM波形

由DSP的EVA事件管理器输出的SPWM波经过光耦驱动后的SPWM波形见图10。

IGBT逆变桥上下桥臂波经过光耦驱动后死区时间情况如图11所示。

  图11 EVA事件管理器输出的SPWM波经过光耦驱动后死区时间情况

2 A/D转换采样电路的设计

本设计选用Agilent公司的HCNR200/201。线性光耦真正隔离的是电流，要想真正隔离电压，需要在输出和输出处增加运算放大器等辅助电路。

如图12所示，输入端电压为Vin，输出端电压为Vout，有：VOUT=K3（R2/R1）VIN，其中，K3=1+0.05。一般取R2=R1，达到只隔离，不放大的目的。

输入VIN=0～12V，输出等于输入，采用LM324运放集成芯片，电路如图12所示。

             图12 线性光耦隔离电路

由于光耦会产生一些高频的噪声，通常在R2处并联电容，构成低通滤波器，取C=10pF，有微小相移，约1.5kHz—0.2°，可以忽略。电阻R1和R2采用精密电阻，以达到最好的线性关系1:1。

采样电阻分压后，通过高精度线性光耦隔离，采样信号Vout经过一级电压跟随器后，输入ADC，经ADC模块转换为数字量，进行PID运算处理后，输出给调节量。