[发布时间]：2014年11月14日
[来源]：安锋网
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近日，据韩国媒体报道，业内人士透露了三星将在明年的GalaxyS6上采用通用闪存（UniversalFlashStorage），传输速度更快，功耗更低。韩媒Etnews称，三星电子将会在年底量产UFS2.0NAND闪存，并有望运用于该公司下一代旗舰手机GalaxyS6。
这是继“ProjectZero”和曲面双侧屏后，韩国媒体为GalaxyS6释出的又一重磅新闻。
相比传统的eMMC闪存，UFS存储标准将固态硬盘（SSD）的高速传输和eMMC的低功耗特点相结合，传输速度可三倍于eMMC达到1.2GB/s，功耗也有望在未来降低至eMMC的一半。目前，正在开发UFS的厂商除三星电子以外，还有海力士（SKHynix）、东芝（Toshiba）、晟碟（SanDisk）等。
三星的UFS计划不仅在GalaxyS6，据悉该公司将逐步在旗舰手机和平板上以UFS取代传统的SD卡和MicroSD卡。预见这一新存储标准将成为主流的也不止三星，国内厂商被传也有此意，意欲和三星拼到底。
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